Epitaxiale reactorvat met SiC-coating

De Semicorex SiC gecoate epitaxiale reactorvat is een grafietproduct van topkwaliteit gecoat met zeer zuiver SiC. De uitstekende dichtheid en thermische geleidbaarheid maken het een ideale keuze voor gebruik in LPE-processen, waardoor een uitzonderlijke warmteverdeling en bescherming wordt geboden in corrosieve omgevingen en omgevingen met hoge temperaturen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Als het gaat om de productie van halfgeleiders, is de Semicorex SiC gecoate epitaxiale reactorvat de beste keuze voor superieure prestaties en uitzonderlijke warmteverdeling. Dit grafietproduct is gecoat met zeer zuiver SiC en biedt uitstekende corrosie- en hittebestendigheid, waardoor keer op keer betrouwbare en consistente resultaten worden gegarandeerd.

Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Onze met SiC gecoate epitaxiale reactorvat heeft een prijsvoordeel en wordt naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.

Parameters van met SiC gecoate epitaxiale reactorvat

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van de epitaxiale reactorvat met SiC-coating

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.

- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.

- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.