SiC-gecoate kristalgroeisusceptor

Met zijn hoge smeltpunt, oxidatieweerstand en corrosieweerstand is de Semicorex SiC-gecoate kristalgroeisusceptor de ideale keuze voor gebruik in toepassingen voor monokristalgroei. De siliciumcarbidecoating zorgt voor uitstekende vlakheid en warmteverdelingseigenschappen, waardoor het een ideale keuze is voor omgevingen met hoge temperaturen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

De Semicorex SiC-gecoate kristalgroeisusceptor is de perfecte keuze voor epitaxiale laagvorming op halfgeleiderwafels, dankzij zijn uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en warmteverdelingseigenschappen. De zeer zuivere SiC-coating biedt superieure bescherming in zelfs de meest veeleisende omgevingen met hoge temperaturen en corrosie.
Onze SiC-gecoate kristalgroeisusceptor is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze SiC-gecoate kristalgroeisusceptor.

Parameters van met SiC gecoate kristalgroeisusceptor

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van SiC-gecoate kristalgroeisusceptor

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.

- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.

- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.