SiC-coating is een dunne laag op de susceptor via het chemische dampafzettingsproces (CVD). Siliciumcarbidemateriaal biedt een aantal voordelen ten opzichte van silicium, waaronder 10x de elektrische doorslagsterkte en 3x de bandafstand, waardoor het materiaal bestand is tegen hoge temperaturen en chemicaliën, uitstekende slijtvastheid en thermische geleidbaarheid.
Semicorex levert service op maat, helpt u te innoveren met componenten die langer meegaan, verkort de cyclustijden en verbetert de opbrengsten.
SiC-coating heeft verschillende unieke voordelen
Weerstand tegen hoge temperaturen: CVD SiC-gecoate susceptor is bestand tegen hoge temperaturen tot 1600 °C zonder significante thermische degradatie te ondergaan.
Chemische bestendigheid: De siliciumcarbidecoating biedt uitstekende weerstand tegen een breed scala aan chemicaliën, waaronder zuren, alkaliën en organische oplosmiddelen.
Slijtvastheid: De SiC-coating geeft het materiaal een uitstekende slijtvastheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen met hoge slijtage.
Thermische geleidbaarheid: De CVD SiC-coating geeft het materiaal een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het geschikt is voor gebruik in toepassingen met hoge temperaturen die een efficiënte warmteoverdracht vereisen.
Hoge sterkte en stijfheid: de met siliciumcarbide gecoate susceptor geeft het materiaal een hoge sterkte en stijfheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen die een hoge mechanische sterkte vereisen.
SiC-coating wordt in verschillende toepassingen gebruikt
LED-productie: CVD SiC-gecoate susceptor wordt gebruikt bij de productie van verschillende LED-typen, waaronder blauwe en groene LED, UV-LED en diep-UV-LED, vanwege de hoge thermische geleidbaarheid en chemische weerstand.
Mobiele communicatie: CVD SiC gecoate susceptor is een cruciaal onderdeel van de HEMT om het GaN-op-SiC epitaxiale proces te voltooien.
Halfgeleiderverwerking: CVD SiC-gecoate susceptor wordt in de halfgeleiderindustrie gebruikt voor verschillende toepassingen, waaronder wafelverwerking en epitaxiale groei.
SiC-gecoate grafietcomponenten
Gemaakt van Silicon Carbide Coating (SiC) grafiet, de coating wordt via een CVD-methode aangebracht op specifieke soorten grafiet met hoge dichtheid, zodat deze kan werken in de hogetemperatuuroven met meer dan 3000 °C in een inerte atmosfeer, 2200 °C in vacuüm .
De bijzondere eigenschappen en de lage massa van het materiaal zorgen voor snelle opwarmsnelheden, een uniforme temperatuurverdeling en een uitstekende controleprecisie.
Materiaalgegevens van Semicorex SiC Coating
Typische eigenschappen |
Eenheden |
Waarden |
Structuur |
|
FCC β-fase |
Oriëntatie |
Fractie (%) |
111 voorkeur |
Bulkdichtheid |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Thermische uitzetting 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Conclusie CVD SiC gecoate susceptor is een composietmateriaal dat de eigenschappen van een susceptor en siliciumcarbide combineert. Dit materiaal bezit unieke eigenschappen, waaronder hoge temperatuur- en chemische bestendigheid, uitstekende slijtvastheid, hoge thermische geleidbaarheid en hoge sterkte en stijfheid. Deze eigenschappen maken het een aantrekkelijk materiaal voor diverse toepassingen bij hoge temperaturen, waaronder halfgeleiderverwerking, chemische verwerking, warmtebehandeling, productie van zonnecellen en LED-productie.
De MOCVD Susceptors van Semicorex belichamen het toppunt van vakmanschap, uithoudingsvermogen en betrouwbaarheid voor ingewikkelde grafietepitaxie en nauwkeurige taken voor het hanteren van wafers. Deze susceptors staan bekend om hun hoge dichtheid, uitzonderlijke vlakheid en superieure thermische controle, waardoor ze de eerste keuze zijn voor veeleisende productieomgevingen. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige MOCVD-susceptoren die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex-plaat voor epitaxiale groei is een cruciaal element dat speciaal is ontworpen om tegemoet te komen aan de complexiteit van epitaxiale processen. Ons aanbod is aanpasbaar om aan verschillende specificaties en voorkeuren te voldoen en levert een individueel op maat gemaakte oplossing die naadloos aansluit bij uw unieke operationele behoeften. We bieden een scala aan aanpassingsmogelijkheden, van maatwijzigingen tot variaties in de coatingtoepassing, waardoor we in staat zijn een product te ontwerpen en te leveren dat de prestaties in verschillende toepassingsscenario's kan verbeteren. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige platen voor epitaxiale groei die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.
Lees verderStuur onderzoekde Semicorex Wafer Carrier voor MOCVD, gemaakt voor de precieze behoeften van Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD), komt naar voren als een onmisbaar hulpmiddel bij de verwerking van monokristallijn Si of SiC voor grootschalige geïntegreerde schakelingen. De Wafer Carrier voor MOCVD-samenstelling beschikt over een ongeëvenaarde zuiverheid, weerstand tegen hoge temperaturen en corrosieve omgevingen, en superieure afdichtingseigenschappen om een ongerepte atmosfeer te behouden. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige Wafer Carriers voor MOCVD die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.
Lees verderStuur onderzoekDe SiC Boat Holder van Semicorex is innovatief gesmeed uit SiC, expliciet op maat gemaakt voor cruciale rollen binnen de fotovoltaïsche, elektronische en halfgeleidersector. De Semicorex SiC Boat Holder is met precisie ontworpen en biedt een beschermende, stabiele omgeving voor wafers in elke fase, of het nu gaat om verwerking, transport of opslag. Het nauwgezette ontwerp zorgt voor precisie in afmetingen en vlakheid, cruciaal voor het minimaliseren van wafervervorming en het maximaliseren van de operationele opbrengst.
Lees verderStuur onderzoekSemicorex SiC Guide Ring is ontworpen om het groeiproces van één kristal te optimaliseren. De uitzonderlijke thermische geleidbaarheid zorgt voor een uniforme warmteverdeling, wat bijdraagt aan de vorming van hoogwaardige kristallen met verbeterde zuiverheid en structurele integriteit. De toewijding van Semicorex aan marktleidende kwaliteit, gecombineerd met concurrerende fiscale overwegingen, versterkt onze gretigheid om partnerschappen aan te gaan bij het voldoen aan uw transportvereisten voor halfgeleiderwafels.
Lees verderStuur onderzoekSemicorex Epi-SiC Susceptor, een component ontworpen met nauwgezette aandacht voor detail, is onmisbaar voor de allernieuwste halfgeleiderfabricage, vooral in epitaxiale toepassingen. Het ontwerp van de Epi-SiC Susceptor, dat precisie en innovatie belichaamt, ondersteunt de epitaxiale afzetting van halfgeleidermaterialen op wafers, waardoor uitzonderlijke efficiëntie en betrouwbaarheid in prestaties worden gegarandeerd. De toewijding van Semicorex aan marktleidende kwaliteit, gecombineerd met concurrerende fiscale overwegingen, versterkt onze gretigheid om partnerschappen aan te gaan bij het voldoen aan uw transportvereisten voor halfgeleiderwafels.
Lees verderStuur onderzoek