SiC-coating is een dunne laag op de susceptor via het chemische dampafzettingsproces (CVD). Siliciumcarbidemateriaal biedt een aantal voordelen ten opzichte van silicium, waaronder 10x de elektrische doorslagsterkte en 3x de bandafstand, waardoor het materiaal bestand is tegen hoge temperaturen en chemicaliën, uitstekende slijtvastheid en thermische geleidbaarheid.
Semicorex levert service op maat, helpt u te innoveren met componenten die langer meegaan, verkort de cyclustijden en verbetert de opbrengsten.
SiC-coating heeft verschillende unieke voordelen
Weerstand tegen hoge temperaturen: CVD SiC-gecoate susceptor is bestand tegen hoge temperaturen tot 1600 °C zonder significante thermische degradatie te ondergaan.
Chemische bestendigheid: De siliciumcarbidecoating biedt uitstekende weerstand tegen een breed scala aan chemicaliën, waaronder zuren, alkaliën en organische oplosmiddelen.
Slijtvastheid: De SiC-coating geeft het materiaal een uitstekende slijtvastheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen met hoge slijtage.
Thermische geleidbaarheid: De CVD SiC-coating geeft het materiaal een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het geschikt is voor gebruik in toepassingen met hoge temperaturen die een efficiënte warmteoverdracht vereisen.
Hoge sterkte en stijfheid: de met siliciumcarbide gecoate susceptor geeft het materiaal een hoge sterkte en stijfheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen die een hoge mechanische sterkte vereisen.
SiC-coating wordt in verschillende toepassingen gebruikt
LED-productie: CVD SiC-gecoate susceptor wordt gebruikt bij de productie van verschillende LED-typen, waaronder blauwe en groene LED, UV-LED en diep-UV-LED, vanwege de hoge thermische geleidbaarheid en chemische weerstand.
Mobiele communicatie: CVD SiC gecoate susceptor is een cruciaal onderdeel van de HEMT om het GaN-op-SiC epitaxiale proces te voltooien.
Halfgeleiderverwerking: CVD SiC-gecoate susceptor wordt in de halfgeleiderindustrie gebruikt voor verschillende toepassingen, waaronder wafelverwerking en epitaxiale groei.
SiC-gecoate grafietcomponenten
Gemaakt van Silicon Carbide Coating (SiC) grafiet, de coating wordt via een CVD-methode aangebracht op specifieke soorten grafiet met hoge dichtheid, zodat deze kan werken in de hogetemperatuuroven met meer dan 3000 °C in een inerte atmosfeer, 2200 °C in vacuüm .
De bijzondere eigenschappen en de lage massa van het materiaal zorgen voor snelle opwarmsnelheden, een uniforme temperatuurverdeling en een uitstekende controleprecisie.
Materiaalgegevens van Semicorex SiC Coating
Typische eigenschappen |
Eenheden |
Waarden |
Structuur |
|
FCC β-fase |
Oriëntatie |
Fractie (%) |
111 voorkeur |
Bulkdichtheid |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Thermische uitzetting 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Conclusie CVD SiC gecoate susceptor is een composietmateriaal dat de eigenschappen van een susceptor en siliciumcarbide combineert. Dit materiaal bezit unieke eigenschappen, waaronder hoge temperatuur- en chemische bestendigheid, uitstekende slijtvastheid, hoge thermische geleidbaarheid en hoge sterkte en stijfheid. Deze eigenschappen maken het een aantrekkelijk materiaal voor diverse toepassingen bij hoge temperaturen, waaronder halfgeleiderverwerking, chemische verwerking, warmtebehandeling, productie van zonnecellen en LED-productie.
Semicorex SiC Coating Component is een essentieel materiaal dat is ontworpen om te voldoen aan de veeleisende eisen van het SiC-epitaxieproces, een cruciale fase in de productie van halfgeleiders. Het speelt een cruciale rol bij het optimaliseren van de groeiomgeving voor siliciumcarbide (SiC)-kristallen en draagt aanzienlijk bij aan de kwaliteit en prestaties van het eindproduct.*
Lees verderStuur onderzoekSemicorex LPE Part is een SiC-gecoate component die speciaal is ontworpen voor het SiC-epitaxieproces en biedt uitzonderlijke thermische stabiliteit en chemische weerstand om een efficiënte werking in hoge temperaturen en zware omgevingen te garanderen. Door te kiezen voor Semicorex-producten profiteert u van uiterst nauwkeurige, duurzame maatwerkoplossingen die het SiC-epitaxiegroeiproces optimaliseren en de productie-efficiëntie verbeteren.*
Lees verderStuur onderzoekSemicorex SiC Coating Flat Susceptor is een hoogwaardige substraathouder ontworpen voor nauwkeurige epitaxiale groei bij de productie van halfgeleiders. Kies Semicorex voor betrouwbare, duurzame en hoogwaardige susceptors die de efficiëntie en precisie van uw CVD-processen verbeteren.*
Lees verderStuur onderzoekSemicorex SiC Coating Pancake Susceptor is een hoogwaardige component ontworpen voor gebruik in MOCVD-systemen, die zorgt voor een optimale warmteverdeling en verbeterde duurzaamheid tijdens epitaxiale laaggroei. Kies Semicorex vanwege zijn nauwkeurig ontworpen producten die superieure kwaliteit, betrouwbaarheid en langere levensduur bieden, afgestemd op de unieke eisen van de halfgeleiderproductie.*
Lees verderStuur onderzoekSemicorex RTP Ring is een SiC-gecoate grafietring ontworpen voor hoogwaardige toepassingen in Rapid Thermal Processing (RTP)-systemen. Kies Semicorex vanwege onze geavanceerde materiaaltechnologie, die superieure duurzaamheid, precisie en betrouwbaarheid bij de productie van halfgeleiders garandeert.*
Lees verderStuur onderzoekSemicorex Epitaxiale Susceptor met SiC-coating is ontworpen om SiC-wafels te ondersteunen en vast te houden tijdens het epitaxiale groeiproces, waardoor precisie en uniformiteit bij de productie van halfgeleiders wordt gegarandeerd. Kies Semicorex vanwege de hoogwaardige, duurzame en aanpasbare producten die voldoen aan de strenge eisen van geavanceerde halfgeleidertoepassingen.*
Lees verderStuur onderzoek