Wafeldrager

· Uitstekende thermische geleidbaarheid: vergemakkelijkt een efficiënte warmteoverdracht, essentieel tijdens epitaxiale groeiprocessen van halfgeleiders.

· Bestand tegen hoge temperaturen: de SiC-coating is bestand tegen extreme hitte en zorgt ervoor dat de drager zijn prestaties behoudt tijdens de thermische cyclus in de reactor.

· Chemische corrosieweerstand: de SiC-coating verbetert aanzienlijk de weerstand van de drager tegen oxidatie en corrosie door reactieve gassen die vaak voorkomen tijdens epitaxie.

· Dimensionale stabiliteit: de combinatie van SiC en grafiet zorgt ervoor dat de drager zijn vorm en precisie in de loop van de tijd behoudt, waardoor het risico op vervorming tijdens lange procesruns wordt geminimaliseerd.

Toepassingen in de groei van halfgeleiderepitaxie

Epitaxie is een proces waarbij een dunne laag halfgeleidermateriaal op een substraat, meestal een wafel, wordt afgezet om een ​​kristalroosterstructuur te vormen. Tijdens dit proces is het nauwkeurig hanteren van de wafer van cruciaal belang, omdat zelfs kleine afwijkingen in de positionering van de wafer kunnen resulteren in defecten of variaties in de laagstructuur.

De Wafer Carrier speelt een sleutelrol bij het garanderen dat halfgeleiderwafels tijdens dit proces veilig worden vastgehouden en op de juiste manier worden gepositioneerd. De combinatie van SiC-gecoat grafiet levert de vereiste prestatiekenmerken voor siliciumcarbide (SiC)-epitaxie, een proces waarbij zeer zuivere SiC-kristallen worden gekweekt voor gebruik in vermogenselektronica, opto-elektronica en andere geavanceerde halfgeleidertoepassingen.

Specifiek, de Waferdrager:

· Zorgt voor nauwkeurige uitlijning van de wafer: zorgt voor uniformiteit in de groei van de epitaxiale laag over de wafer, wat van cruciaal belang is voor de opbrengst en prestaties van het apparaat.

· Bestand tegen thermische cycli: SiC-gecoat grafiet blijft stabiel en betrouwbaar, zelfs in omgevingen met hoge temperaturen tot 2000°C, waardoor een consistente verwerking van de wafels gedurende het hele proces wordt gegarandeerd.

· Minimaliseert waferverontreiniging: De zeer zuivere materiaalsamenstelling van de drager zorgt ervoor dat de wafer tijdens het epitaxiale groeiproces niet wordt blootgesteld aan ongewenste verontreinigingen.

In halfgeleider-epitaxiereactoren wordt de Wafer Carrier in de reactorkamer geplaatst, waar hij fungeert als ondersteuningsplatform voor de wafer. De drager maakt het mogelijk dat de wafel wordt blootgesteld aan hoge temperaturen en reactieve gassen die worden gebruikt in het epitaxiale groeiproces zonder de integriteit van de wafel in gevaar te brengen. De SiC-coating voorkomt chemische interacties met de gassen en zorgt zo voor de groei van hoogwaardig, defectvrij materiaal.

Voordelen van SiC-gecoate grafietwafeldrager

1. Verbeterde duurzaamheid: De SiC-coating verhoogt de slijtvastheid van het grafietmateriaal, waardoor het risico op degradatie bij meerdere toepassingen wordt verminderd.

2. Stabiliteit bij hoge temperaturen: de Wafer Carrier kan de extreme temperaturen verdragen die gebruikelijk zijn in epitaxiale groeiovens, waarbij de structurele integriteit behouden blijft zonder kromtrekken of barsten.

3. Verbeterde opbrengst en procesefficiëntie: Door ervoor te zorgen dat de wafers veilig en consistent worden gehanteerd, helpt de met SiC gecoate grafietwaferdrager de algehele opbrengst en efficiëntie van het epitaxiale groeiproces te verbeteren.

4. Aanpassingsopties: De drager kan qua grootte en configuratie worden aangepast om te voldoen aan de specifieke behoeften van verschillende epitaxiale reactoren, waardoor flexibiliteit wordt geboden voor een breed scala aan halfgeleidertoepassingen.

SemicorexSiC-gecoat grafietWafer Carrier is een cruciaal onderdeel in de halfgeleiderindustrie en biedt een optimale oplossing voor het hanteren van wafers tijdens het epitaxiale groeiproces. Met zijn combinatie van thermische stabiliteit, chemische bestendigheid en mechanische sterkte zorgt het voor een nauwkeurige en betrouwbare verwerking van halfgeleiderwafels, wat leidt tot resultaten van hogere kwaliteit en een verbeterde opbrengst bij epitaxieprocessen. Of het nu gaat om epitaxie van siliciumcarbide of andere geavanceerde halfgeleidertoepassingen, deze Wafer Carrier biedt de duurzaamheid en prestaties die nodig zijn om te voldoen aan de veeleisende normen van de moderne halfgeleiderproductie.