SiC-coating is een dunne laag op de susceptor via het chemische dampafzettingsproces (CVD). Siliciumcarbidemateriaal biedt een aantal voordelen ten opzichte van silicium, waaronder 10x de elektrische doorslagsterkte en 3x de bandafstand, waardoor het materiaal bestand is tegen hoge temperaturen en chemicaliën, uitstekende slijtvastheid en thermische geleidbaarheid.
Semicorex levert service op maat, helpt u te innoveren met componenten die langer meegaan, verkort de cyclustijden en verbetert de opbrengsten.
SiC-coating heeft verschillende unieke voordelen
Weerstand tegen hoge temperaturen: CVD SiC-gecoate susceptor is bestand tegen hoge temperaturen tot 1600 °C zonder significante thermische degradatie te ondergaan.
Chemische bestendigheid: De siliciumcarbidecoating biedt uitstekende weerstand tegen een breed scala aan chemicaliën, waaronder zuren, alkaliën en organische oplosmiddelen.
Slijtvastheid: De SiC-coating geeft het materiaal een uitstekende slijtvastheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen met hoge slijtage.
Thermische geleidbaarheid: De CVD SiC-coating geeft het materiaal een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het geschikt is voor gebruik in toepassingen met hoge temperaturen die een efficiënte warmteoverdracht vereisen.
Hoge sterkte en stijfheid: de met siliciumcarbide gecoate susceptor geeft het materiaal een hoge sterkte en stijfheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen die een hoge mechanische sterkte vereisen.
SiC-coating wordt in verschillende toepassingen gebruikt
LED-productie: CVD SiC-gecoate susceptor wordt gebruikt bij de productie van verschillende LED-typen, waaronder blauwe en groene LED, UV-LED en diep-UV-LED, vanwege de hoge thermische geleidbaarheid en chemische weerstand.
Mobiele communicatie: CVD SiC gecoate susceptor is een cruciaal onderdeel van de HEMT om het GaN-op-SiC epitaxiale proces te voltooien.
Halfgeleiderverwerking: CVD SiC-gecoate susceptor wordt in de halfgeleiderindustrie gebruikt voor verschillende toepassingen, waaronder wafelverwerking en epitaxiale groei.
SiC-gecoate grafietcomponenten
Gemaakt van Silicon Carbide Coating (SiC) grafiet, de coating wordt via een CVD-methode aangebracht op specifieke soorten grafiet met hoge dichtheid, zodat deze kan werken in de hogetemperatuuroven met meer dan 3000 °C in een inerte atmosfeer, 2200 °C in vacuüm .
De bijzondere eigenschappen en de lage massa van het materiaal zorgen voor snelle opwarmsnelheden, een uniforme temperatuurverdeling en een uitstekende controleprecisie.
Materiaalgegevens van Semicorex SiC Coating
Typische eigenschappen |
Eenheden |
Waarden |
Structuur |
|
FCC β-fase |
Oriëntatie |
Fractie (%) |
111 voorkeur |
Bulkdichtheid |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Thermische uitzetting 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Conclusie CVD SiC gecoate susceptor is een composietmateriaal dat de eigenschappen van een susceptor en siliciumcarbide combineert. Dit materiaal bezit unieke eigenschappen, waaronder hoge temperatuur- en chemische bestendigheid, uitstekende slijtvastheid, hoge thermische geleidbaarheid en hoge sterkte en stijfheid. Deze eigenschappen maken het een aantrekkelijk materiaal voor diverse toepassingen bij hoge temperaturen, waaronder halfgeleiderverwerking, chemische verwerking, warmtebehandeling, productie van zonnecellen en LED-productie.
Semicorex GaN-on-Si Epi Wafer Chuck is een nauwkeurig ontworpen substraathouder die speciaal is ontworpen voor de behandeling en verwerking van galliumnitride op epitaxiale siliciumwafels. Semicorex streeft ernaar kwaliteitsproducten te leveren tegen concurrerende prijzen. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex SiC Wafer Susceptors voor MOCVD zijn een toonbeeld van precisie en innovatie, speciaal vervaardigd om de epitaxiale afzetting van halfgeleidermaterialen op wafers te vergemakkelijken. Dankzij de superieure materiaaleigenschappen van de platen zijn ze bestand tegen de strenge omstandigheden van epitaxiale groei, waaronder hoge temperaturen en corrosieve omgevingen, waardoor ze onmisbaar zijn voor de productie van halfgeleiders met hoge precisie. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige SiC Wafer Susceptors voor MOCVD die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex Wafer Carriers met SiC-coating, een integraal onderdeel van het epitaxiale groeisysteem, onderscheiden zich door hun uitzonderlijke zuiverheid, weerstand tegen extreme temperaturen en robuuste afdichtingseigenschappen, die dienen als tray die essentieel is voor de ondersteuning en verwarming van halfgeleiderwafels tijdens de kritische fase van epitaxiale laagafzetting, waardoor de algehele prestaties van het MOCVD-proces worden geoptimaliseerd. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige Wafer Carriers met SiC-coating die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex GaN Epitaxy Carrier is cruciaal in de productie van halfgeleiders en integreert geavanceerde materialen en precisie-engineering. Deze drager onderscheidt zich door zijn CVD SiC-coating en biedt uitzonderlijke duurzaamheid, thermische efficiëntie en beschermende eigenschappen, waardoor hij zich positioneert als een uitblinker in de branche. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige GaN Epitaxy Carrier die kwaliteit combineert met kostenefficiëntie.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex SiC-gecoate Wafer Disc vertegenwoordigt een toonaangevende vooruitgang in de productietechnologie van halfgeleiders en speelt een essentiële rol in het complexe proces van het vervaardigen van halfgeleiders. Deze schijf is met nauwgezette precisie ontworpen en vervaardigd uit superieur SiC-gecoat grafiet, wat uitstekende prestaties en duurzaamheid levert voor toepassingen met siliciumepitaxie. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige SiC-gecoate waferschijven die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex SiC Wafer Tray is een essentiële troef in het Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) proces, zorgvuldig ontworpen om halfgeleiderwafels te ondersteunen en te verwarmen tijdens de essentiële stap van epitaxiale laagafzetting. Deze lade is een integraal onderdeel van de productie van halfgeleiderapparaten, waarbij de precisie van de laaggroei van het allergrootste belang is. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige SiC Wafer Trays die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.
Lees verderStuur onderzoek