> Producten > Keramiek > Siliciumcarbide (SiC) > Duurzame focusringen voor halfgeleiderverwerking

Producten

Nieuwe Producten

Duurzame focusringen voor halfgeleiderverwerking

De duurzame focusringen van Semicorex voor de verwerking van halfgeleiders zijn ontworpen om bestand te zijn tegen de extreme omstandigheden van plasma-etskamers die worden gebruikt bij de verwerking van halfgeleiders. Onze scherpstelringen zijn gemaakt van zeer zuiver grafiet gecoat met een dichte, slijtvaste siliciumcarbide (SiC) coating. De SiC-coating heeft hoge corrosie- en hittebestendigheidseigenschappen, evenals een uitstekende thermische geleidbaarheid. We brengen SiC in dunne lagen aan op het grafiet met behulp van het chemische dampdepositieproces (CVD) om de levensduur van onze focusringen te verbeteren.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze duurzame focusringen voor halfgeleiderverwerking zijn ontworpen om de etsuniformiteit rond de waferrand of omtrek te verbeteren, waardoor vervuiling en ongepland onderhoud worden geminimaliseerd. Ze zijn zeer stabiel voor snel thermisch gloeien (RTA), snelle thermische verwerking (RTP) en agressieve chemische reiniging.

Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve duurzame focusringen voor halfgeleiderverwerking, geven we prioriteit aan klanttevredenheid en bieden we kosteneffectieve oplossingen. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner te worden, die hoogwaardige producten en een uitzonderlijke klantenservice levert.

Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze duurzame focusringen voor halfgeleiderverwerking.

Parameters van duurzame focusringen voor halfgeleiderverwerking

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300