MOCVD-vacuümkamerdeksel dat wordt gebruikt bij kristalgroei en verwerking van wafels moet bestand zijn tegen hoge temperaturen en agressieve chemische reiniging. Semicorex MOCVD-vacuümkamerdeksel met siliciumcarbidecoating, speciaal ontworpen om bestand te zijn tegen deze uitdagende omgevingen. Onze producten hebben een goed prijsvoordeel en bestrijken veel van de Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langdurige partner in China te worden.
Semicorex Graphite-componenten zijn zeer zuiver SiC-gecoat grafiet, dat in het proces wordt gebruikt om het monokristallijne en wafelproces te laten groeien. De MOCVD Vacuümkamer Deksel Compound-groei heeft een hoge hitte- en corrosieweerstand, is duurzaam om een combinatie van vluchtige voorlopergassen, plasma en hoge temperaturen te ervaren.
Bij Semicorex zijn we toegewijd aan het leveren van hoogwaardige producten en diensten aan onze klanten. We gebruiken alleen de beste materialen en onze producten zijn ontworpen om te voldoen aan de hoogste kwaliteits- en prestatienormen. Ons MOCVD-vacuümkamerdeksel is daarop geen uitzondering. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over hoe we u kunnen helpen met uw behoeften op het gebied van halfgeleiderwafelverwerking.
Parameters van MOCVD-vacuümkamerdeksel
Hoofdspecificaties van CVD-SIC Coating |
||
SiC-CVD-eigenschappen |
||
Kristal structuur |
FCC β fase |
|
Dikte |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Korrelgrootte |
μm |
2~10 |
Chemische zuiverheid |
% |
99.99995 |
Warmte capaciteit |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Felexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300â) |
430 |
Thermische Uitzetting (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Warmtegeleiding |
(W/mK) |
300 |
Kenmerken van MOCVD-vacuümkamerdeksel
â Ultraplatte mogelijkheden
â Spiegelglans
â Uitzonderlijk licht van gewicht
â Hoge stijfheid
â Lage thermische uitzetting
â Extreme slijtvastheid