Kamerdeksel van siliciumcarbide

Siliciumcarbide-kamerdeksel dat wordt gebruikt bij de kristalgroei en verwerking van wafers moet hoge temperaturen en agressieve chemische reiniging verdragen. Semicorex is een grootschalige fabrikant en leverancier van siliciumcarbide gecoate grafiet susceptor in China. Onze producten hebben een goed prijsvoordeel en bestrijken een groot deel van de Europese en Amerikaanse markten. Wij kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Siliciumcarbide-kamerdeksel dat wordt gebruikt bij monokristalgroei of MOCVD, of verwerking van wafers, moet hoge temperaturen en agressieve chemische reiniging doorstaan. Semicorex levert een zeer zuivere siliciumcarbide (SiC) gecoate grafietconstructie die superieure hittebestendigheid, zelfs thermische uniformiteit voor consistente dikte en weerstand van de epi-laag, en duurzame chemische bestendigheid biedt. Ze zijn bestand tegen een combinatie van vluchtige precursorgassen, plasma en hoge temperaturen.
Ons siliciumcarbide-kamerdeksel is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over ons siliciumcarbide-kamerdeksel.

Parameters van siliciumcarbidekamerdeksel

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300