SiC-eindeffector

Semicorex is een grootschalige fabrikant en leverancier van siliciumcarbide gecoate grafiet susceptor in China. We richten ons op halfgeleiderindustrieën zoals siliciumcarbidelagen en epitaxie-halfgeleiders. Onze SiC End Effector heeft een goed prijsvoordeel en bestrijkt veel van de Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex SiC End Effector is gemaakt van Silicon Carbide Coating (SiC) grafiet, de coating wordt via een CVD-methode aangebracht op specifieke soorten grafiet met hoge dichtheid, zodat deze kan werken in de hogetemperatuuroven met meer dan 3000 ° C in een inerte atmosfeer. 2200°C in vacuüm.

Onze SiC End Effector is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.

Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze SiC-eindeffector.

Parameters van SiC-eindeffector

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300