Semicorex N-type siliciumcarbidepoeder (SiC) is een zeer zuiver, gedoteerd SiC-materiaal dat speciaal is ontworpen voor geavanceerde kristalgroeitoepassingen. Semicorex streeft ernaar kwaliteitsproducten te leveren tegen concurrerende prijzen. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
Semicorex N-type siliciumcarbidepoeder (SiC) is een zeer zuiver, gedoteerd SiC-materiaal dat speciaal is ontworpen voor geavanceerde kristalgroeitoepassingen. Dit N-type siliciumcarbidepoeder wordt gekenmerkt door zijn superieure elektrische eigenschappen en structurele integriteit, waardoor het een ideale keuze is voor de productie van siliciumcarbidekristallen die worden gebruikt in verschillende hoogwaardige halfgeleiderapparaten.
N-type siliciumcarbidepoeder is gedoteerd met stikstof (N), waardoor extra vrije elektronen in het SiC-kristalrooster worden geïntroduceerd, waardoor de elektrische geleidbaarheid ervan wordt verbeterd. Deze dotering van het N-type is cruciaal voor toepassingen die nauwkeurige elektronische eigenschappen vereisen. N-type siliciumcarbidepoeder ondergaat strenge zuiveringsprocessen om een hoog zuiverheidsniveau te bereiken, waardoor de aanwezigheid van onzuiverheden wordt geminimaliseerd die het kristalgroeiproces en de prestaties van het eindproduct kunnen beïnvloeden.
Semicorex N-type siliciumcarbidepoeder bestaat uit fijne deeltjes van uniforme grootte die een uniforme kristalgroei bevorderen en de algehele kwaliteit van de siliciumcarbidekristallen verbeteren.
Dit N-type siliciumcarbidepoeder wordt voornamelijk gebruikt bij de groei van siliciumcarbidekristallen en is een integraal onderdeel van de productie van krachtige elektronische apparaten, hogetemperatuursensoren en verschillende opto-elektronische componenten. Het is ook geschikt voor gebruik in onderzoek en ontwikkeling binnen de halfgeleiderindustrie.
Kenmerken
Model | Zuiverheid | Verpakkingsdichtheid | D10 | D50 | D90 |
SiC-N-S | >6N | <1,7 g/cm3 | 100μm | 300μm | 500 μm |
SiC-N-M | >6N | <1,3 g/cm3 | 500 μm | 1000 μm | 2000 μm |
SiC-NL | >6N | <1,3 g/cm3 | 1000 μm | 1500 μm | 2500μm |
Toepassingen:
Siliciumcarbide-kristalgroei: gebruikt als bronmateriaal voor het kweken van hoogwaardige SiC-kristallen.
Halfgeleiderapparaten: Ideaal voor elektronische componenten met hoog vermogen en hoge frequentie.
Elektronica voor hoge temperaturen: geschikt voor toepassingen die robuuste prestaties vereisen onder extreme omstandigheden.
Opto-elektronica: Gebruikt in apparaten die uitzonderlijke thermische en elektrische eigenschappen vereisen.