- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nieuws
Plasmaprocessen bij CVD-operaties
Chemical Vapour Deposition (CVD) verwijst naar een procestechnologie waarbij meerdere gasvormige reactanten bij verschillende partiële drukken een chemische reactie ondergaan onder specifieke temperatuur- en drukomstandigheden. De resulterende vaste substantie zet zich af op het oppervlak van het su......
Lees verder
De opkomst en vooruitzichten van de markt voor siliciumcarbide (SiC)-energieapparaten
Naarmate de mondiale acceptatie van elektrische voertuigen geleidelijk toeneemt, zal Silicon Carbide (SiC) het komende decennium nieuwe groeimogelijkheden tegenkomen. Er wordt verwacht dat fabrikanten van vermogenshalfgeleiders en exploitanten in de auto-industrie actiever zullen deelnemen aan de op......
Lees verder
Silicium epitaxiale lagen en substraten in de productie van halfgeleiders
In de moderne elektronica, opto-elektronica, micro-elektronica en informatietechnologie zijn halfgeleidersubstraten en epitaxiale technologieën onmisbaar. Ze bieden een solide basis voor de productie van hoogwaardige en zeer betrouwbare halfgeleiderapparaten. Naarmate de technologie zich blijft ontw......
Lees verder
Voordelen van SiC in de EV-industrie
Als halfgeleidermateriaal met brede bandafstand (WBG) geeft het grotere energieverschil van SiC het hogere thermische en elektronische eigenschappen vergeleken met traditioneel Si. Deze functie zorgt ervoor dat elektrische apparaten kunnen werken bij hogere temperaturen, frequenties en spanningen.
Lees verder
Dopingcontrole bij sublimatie SiC-groei
Siliciumcarbide (SiC) speelt een belangrijke rol bij de productie van vermogenselektronica en hoogfrequente apparaten vanwege de uitstekende elektrische en thermische eigenschappen. De kwaliteit en het dopingniveau van SiC-kristallen hebben een directe invloed op de prestaties van het apparaat. Daar......
Lees verder
