Thuis > Producten > Siliciumcarbide gecoat > RTP-aanbieder > RTP-drager voor MOCVD Epitaxiale groei
RTP-drager voor MOCVD Epitaxiale groei

RTP-drager voor MOCVD Epitaxiale groei

Semicorex RTP Carrier voor MOCVD Epitaxial Growth is ideaal voor toepassingen voor het verwerken van halfgeleiderwafers, waaronder epitaxiale groei en verwerking van wafers. Koolstofgrafietsusceptors en kwartskroezen worden door MOCVD verwerkt op het oppervlak van grafiet, keramiek, enz. Onze producten hebben een goed prijsvoordeel en bestrijken veel van de Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langdurige partner in China te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex levert RTP Carrier voor MOCVD Epitaxial Growth die wordt gebruikt om wafers te ondersteunen, wat echt stabiel is voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging. De kern van het proces, de epitaxiale susceptoren, worden eerst onderworpen aan de afzettingsomgeving, zodat het een hoge hitte- en corrosieweerstand heeft. De SiC-gecoate drager heeft ook een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.
Onze RTP-drager voor MOCVD Epitaxial Growth is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt vervuiling of diffusie van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze RTP-drager voor MOCVD Epitaxial Growth.


Parameters van RTP Carrier voor MOCVD epitaxiale groei

Hoofdspecificaties van CVD-SIC Coating

SiC-CVD-eigenschappen

Kristal structuur

FCC β fase

Dikte

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers-hardheid

2500

Korrelgrootte

μm

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmte capaciteit

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimatie temperatuur

2700

Felexurale kracht

MPa (RT 4-punts)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt bocht, 1300â)

430

Thermische Uitzetting (CTE)

10-6K-1

4.5

Warmtegeleiding

(W/mK)

300


Kenmerken van RTP Carrier voor MOCVD Epitaxiale groei

Hoge zuiverheid SiC gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge weerstand tegen chemische reiniging
Materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.





Hottags: RTP-drager voor MOCVD epitaxiale groei, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam

Gerelateerde categorie

Stuur onderzoek

Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept