Thuis > Producten > Siliciumcarbide gecoat > RTP-provider > RTP-drager voor MOCVD epitaxiale groei
RTP-drager voor MOCVD epitaxiale groei

RTP-drager voor MOCVD epitaxiale groei

Semicorex RTP Carrier voor MOCVD Epitaxiale groei is ideaal voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels, inclusief epitaxiale groei en verwerking van wafels. Koolstofgrafietkroezen en kwartskroezen worden door MOCVD verwerkt op het oppervlak van grafiet, keramiek, enz. Onze producten hebben een goed prijsvoordeel en bestrijken veel van de Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex levert RTP Carrier voor MOCVD Epitaxial Growth, gebruikt om wafers te ondersteunen, wat zeer stabiel is voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging. In de kern van het proces worden de epitaxie-susceptors eerst onderworpen aan de afzettingsomgeving, zodat deze een hoge hitte- en corrosieweerstand heeft. De met SiC gecoate drager heeft ook een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.
Onze RTP-drager voor MOCVD epitaxiale groei is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze RTP-drager voor MOCVD epitaxiale groei.


Parameters van RTP-drager voor MOCVD epitaxiale groei

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen

Kristalstructuur

FCC β-fase

Dikte

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers-hardheid

2500

Korrelgrootte

urn

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmtecapaciteit

J kg-1 K-1

640

Sublimatie temperatuur

2700

Flexurale kracht

MPa (RT 4-punts)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt bocht, 1300℃)

430

Thermische uitzetting (CTE)

10-6K-1

4.5

Thermische geleidbaarheid

(W/mK)

300


Kenmerken van RTP Carrier voor MOCVD epitaxiale groei

Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.





Hottags: RTP-drager voor MOCVD epitaxiale groei, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept