SiC Grafiet RTP-draagplaat voor MOCVD

Semicorex SiC Graphite RTP-draagplaat voor MOCVD biedt superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit, waardoor het de perfecte oplossing is voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels. Met een hoogwaardig SiC-gecoat grafiet is dit product ontworpen om bestand te zijn tegen de zwaarste afzettingsomgeving voor epitaxiale groei. De hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen zorgen voor betrouwbare prestaties bij RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze SiC Graphite RTP-draagplaat voor MOCVD voor MOCVD epitaxiale groei is de perfecte oplossing voor het hanteren van wafels en de verwerking van epitaxiale groei. Met een glad oppervlak en hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging garandeert dit product betrouwbare prestaties in zware afzettingsomgevingen.
Het materiaal van onze SiC-grafiet RTP-draagplaat voor MOCVD is ontworpen om scheuren en delaminatie te voorkomen, terwijl de superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit consistente prestaties garanderen voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze SiC Graphite RTP-draagplaat voor MOCVD.

Parameters van SiC Graphite RTP-dragerplaat voor MOCVD

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van SiC Graphite RTP-dragerplaat voor MOCVD

Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.