Semicorex SiC-gecoate RTP-draagplaat voor epitaxiale groei is de perfecte oplossing voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels. Met zijn hoogwaardige koolstofgrafietkroezen en kwartskroezen verwerkt door MOCVD op het oppervlak van grafiet, keramiek, enz., is dit product ideaal voor het hanteren van wafels en epitaxiale groeiverwerking. De met SiC gecoate drager zorgt voor een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen, waardoor het een betrouwbare keuze is voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.
Onze SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei is ontworpen om de zwaarste omstandigheden van de depositieomgeving te weerstaan. Dankzij de hoge hitte- en corrosieweerstand worden de epitaxiale susceptors onderworpen aan de perfecte afzettingsomgeving voor epitaxiale groei. De fijne SiC-kristalcoating op de drager zorgt voor een glad oppervlak en een hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging, terwijl het materiaal is ontworpen om scheuren en delaminatie te voorkomen.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei.
Parameters van SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating |
||
SiC-CVD-eigenschappen |
||
Kristalstructuur |
FCC β-fase |
|
Dikte |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Chemische zuiverheid |
% |
99.99995 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Thermische uitzetting (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Kenmerken van SiC-gecoate RTP-draagplaat voor epitaxiale groei
Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.