Thuis > Producten > Siliciumcarbide gecoat > RTP-provider > SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei
SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei

SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei

Semicorex SiC-gecoate RTP-draagplaat voor epitaxiale groei is de perfecte oplossing voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels. Met zijn hoogwaardige koolstofgrafietkroezen en kwartskroezen verwerkt door MOCVD op het oppervlak van grafiet, keramiek, enz., is dit product ideaal voor het hanteren van wafels en epitaxiale groeiverwerking. De met SiC gecoate drager zorgt voor een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen, waardoor het een betrouwbare keuze is voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei is ontworpen om de zwaarste omstandigheden van de depositieomgeving te weerstaan. Dankzij de hoge hitte- en corrosieweerstand worden de epitaxiale susceptors onderworpen aan de perfecte afzettingsomgeving voor epitaxiale groei. De fijne SiC-kristalcoating op de drager zorgt voor een glad oppervlak en een hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging, terwijl het materiaal is ontworpen om scheuren en delaminatie te voorkomen.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei.


Parameters van SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen

Kristalstructuur

FCC β-fase

Dikte

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers-hardheid

2500

Korrelgrootte

urn

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmtecapaciteit

J kg-1 K-1

640

Sublimatie temperatuur

2700

Flexurale kracht

MPa (RT 4-punts)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt bocht, 1300℃)

430

Thermische uitzetting (CTE)

10-6K-1

4.5

Thermische geleidbaarheid

(W/mK)

300


Kenmerken van SiC-gecoate RTP-draagplaat voor epitaxiale groei

Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.





Hottags: SiC-gecoate RTP-dragerplaat voor epitaxiale groei, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept