RTP/RTA SiC-coatingdrager

Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier is ontworpen om de zwaarste omstandigheden van de depositieomgeving te weerstaan. Met zijn hoge hitte- en corrosieweerstand is dit product ontworpen om optimale prestaties te leveren bij epitaxiale groei. De met SiC gecoate drager heeft een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen, waardoor betrouwbare prestaties worden gegarandeerd voor RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze RTP/RTA SiC-coatingdrager voor MOCVD epitaxiale groei is de perfecte oplossing voor het hanteren van wafers en de verwerking van epitaxiale groei. Met een glad oppervlak en hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging biedt dit product betrouwbare prestaties in zware afzettingsomgevingen.
Het materiaal van onze RTP/RTA SiC-coatingdrager is ontwikkeld om scheuren en delaminatie te voorkomen, terwijl de superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit zorgen voor consistente prestaties bij RTA, RTP of agressieve chemische reiniging.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze RTP/RTA SiC-coatingdrager

Parameters van RTP/RTA SiC-coatingdrager

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van RTP/RTA SiC-coatingdrager

Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.