RTP Grafiet draagplaat

De RTP Graphite Carrier Plate van Semicorex is de perfecte oplossing voor toepassingen voor de verwerking van halfgeleiderwafels, inclusief epitaxiale groei en verwerking van wafels. Ons product is ontworpen om superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit te bieden, waardoor wordt gegarandeerd dat de epitaxie-susceptors worden blootgesteld aan de afzettingsomgeving, met een hoge hitte- en corrosieweerstand.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Ons product is voorzien van zeer zuiver SiC-gecoat grafiet, dat uitstekende warmteverdelingseigenschappen biedt en ervoor zorgt dat de met SiC gecoate drager een glad oppervlak heeft, vrij van scheuren en delaminatie. Onze RTP Graphite Carrier Plate is voorzien van een fijne siliciumcarbide coating, waardoor het oppervlak glad en vrij van gebreken is. Dit product is zeer duurzaam tegen agressieve chemische reiniging en is ontworpen om ervoor te zorgen dat scheuren en delaminatie niet optreden.
We bieden een prijsvoordeel dat onze concurrenten niet kunnen evenaren, en we streven ernaar om uw langetermijnpartner in China te worden.
Met onze RTP-grafietdraagplaat bent u verzekerd van uitstekende prestaties, superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit. De met SiC gecoate drager is ontworpen om hoge temperaturen te weerstaan en is zeer goed bestand tegen chemische reiniging, waardoor hij vele jaren meegaat. Ons product is ook zo ontworpen dat het gemakkelijk te gebruiken is, waardoor het ideaal is voor zowel nieuwe als ervaren gebruikers.
Bij Semicorex streven we ernaar hoogwaardige producten en diensten aan onze klanten te leveren. We gebruiken alleen de beste materialen en onze producten zijn ontworpen om aan de hoogste normen van kwaliteit en prestaties te voldoen. Onze RTP Grafiet Draagplaat is daarop geen uitzondering. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over hoe wij u kunnen helpen met uw halfgeleiderwafelverwerkingsbehoeften.

Parameters van RTP Grafietdraagplaat

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van RTP Grafiet draagplaat

Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.