RTP SIC -coatingplaten

Semicorex RTP SIC-coatingplaten zijn precisie-ontworpen componenten die speciaal zijn ontworpen voor waferondersteuning tijdens snelle thermische verwerking (RTP) -toepassingen. Deze RTPSic coatingPlaten bieden een optimale balans van thermische stabiliteit, chemische weerstand en mechanische sterkte, waardoor ze ideaal zijn voor de veeleisende omgevingen van moderne halfgeleiderproductie.

Onze RTPSic coatingPlaten zorgen voor uitstekende thermische uniformiteit en minimaal besmettingsrisico. Het SIC-oppervlak biedt uitzonderlijke weerstand tegen hoge temperaturen-tot 1300 ° C-en agressieve chemische atmosferen, waaronder zuurstof-, stikstof- en waterstofrijke omgevingen die vaak worden gebruikt tijdens gloeien, oxidatie en diffusieprocessen.

Ionimplantatie vervangt thermische diffusie vanwege zijn inherente controle over doping. Ionimplantatie vereist echter een verwarmingsoperatie genaamd gloeien om de roosterschade te verwijderen die wordt veroorzaakt door ionenimplantatie. Traditioneel wordt gloeien gedaan in een buisreactor. Hoewel gloeien roosterschade kan verwijderen, zorgt het er ook voor dat dopingatomen zich in de wafel verspreiden, wat ongewenst is. Dit probleem bracht mensen ertoe om te bestuderen of er andere energiebronnen zijn die hetzelfde gloeiende effect kunnen bereiken zonder doteermiddelen te laten diffunderen. Dit onderzoek leidde tot de ontwikkeling van snelle thermische verwerking (RTP).

Het RTP -proces is gebaseerd op het principe van thermische straling. De wafel op RTPSic coatingPlaten worden automatisch geplaatst in een reactiekamer met een inlaat en uitlaat. Binnenin bevindt de verwarmingsbron zich boven of onder de wafel, waardoor de wafel snel wordt verwarmd. Warmtebronnen omvatten grafietverwarmers, magnetrons, plasma en wolfraamjodiumlampen. Tungsten jodiumlampen zijn de meest voorkomende. Thermische straling wordt gekoppeld aan het wafeloppervlak en bereikt een procestemperatuur van 800 ℃ ~ 1050 ℃ met een snelheid van 50 ℃ ~ 100 ℃ per seconde. In een traditionele reactor duurt het enkele minuten om dezelfde temperatuur te bereiken. Evenzo kan koeling binnen enkele seconden worden gedaan. Voor stralingsverwarming warmt het grootste deel van de wafer niet op vanwege de korte verwarmingstijd. Voor gloeiprocessen voor ionenimplantatie betekent dit dat schade van rooster wordt hersteld terwijl de geïmplanteerde atomen op hun plaats blijven.

RTP -technologie is een natuurlijke keuze voor de groei van dunne oxidelagen in MOS -poorten. De trend naar kleinere en kleinere wafelafmetingen heeft ertoe geleid dat dunnere en dunnere lagen aan de wafel worden toegevoegd. De belangrijkste diktevermindering is in de poortoxidelaag. Geavanceerde apparaten vereisen poortdiktes in het 10A -bereik. Dergelijke dunne oxidelagen zijn soms moeilijk te regelen in conventionele reactoren vanwege de behoefte aan snelle zuurstoftoevoer en uitlaat. De snelle helling en koeling van RPT -systemen kan de vereiste controle bieden. RTP -systemen voor oxidatie worden ook Rapid Thermal Oxidation (RTO) -systemen genoemd. Ze lijken erg op gloeisystemen, behalve dat zuurstof wordt gebruikt in plaats van inert gas.