SiC-vat voor siliciumepitaxie

Semicorex SiC-vat voor siliciumepitaxy is gemaakt van grafietmateriaal bedekt met siliciumcarbide (SiC). Deze unieke constructie zorgt voor uitstekende weerstand tegen thermische schokken en chemische degradatie, waardoor de levensduur van de susceptor wordt verlengd en de procesbetrouwbaarheid behouden blijft.

De geavanceerde SiC-coating op SiC Barrel For Silicon Epitaxy zorgt voor een superieure thermische geleidbaarheid en warmteverdeling, waardoor uniforme temperatuurprofielen door de susceptor worden bevorderd. Dit verbetert de procescontrole, minimaliseert thermische gradiënten en zorgt voor een consistente epitaxiale laaggroei, wat resulteert in hoogwaardige siliciumfilms met uitzonderlijke uniformiteit en zuiverheid.

Ons SiC-vat voor siliciumepitaxy kan worden aangepast om aan specifieke eisen en voorkeuren te voldoen. Van maataanpassingen tot variaties in de laagdikte, wij bieden flexibiliteit in het ontwerp om tegemoet te komen aan verschillende procesparameters en de prestaties voor specifieke toepassingen te optimaliseren.

Onze SiC Barrel For Silicon Epitaxy biedt betrouwbaarheid en een lange levensduur, waardoor de uitvaltijd en onderhoudskosten die gepaard gaan met frequente vervangingen worden verminderd. De robuuste constructie en uitzonderlijke prestaties dragen bij aan een verbeterde procesefficiëntie, waardoor uiteindelijk de productiviteit en kosteneffectiviteit bij de productie van halfgeleiders worden verbeterd.