Wafelacceptor

Semicorex Wafer Susceptor is vakkundig vervaardigd uit grafiet en gecoat met siliciumcarbide (SiC) om te voldoen aan de veeleisende omstandigheden van de moderne halfgeleiderproductie.

Bij epitaxieprocessen is het handhaven van een stabiele en gecontroleerde omgeving absoluut essentieel. De Wafer Susceptor fungeert als het fundamentele platform waarop wafers worden geplaatst tijdens de afzetting en voldoet aan nauwkeurige eisen voor temperatuuruniformiteit, chemische inertheid en mechanische sterkte om epitaxiale lagen van hoge kwaliteit te bereiken.

De keuze voor grafiet als basismateriaal voor de Wafer Susceptor wordt gedreven door zijn uitstekende thermische geleidbaarheid en mechanische eigenschappen. Het vermogen van grafiet om hoge temperaturen te weerstaan ​​met behoud van de structurele integriteit is cruciaal in de hoge temperatuuromgevingen van epitaxiereactoren. Bovendien zorgt de thermische geleidbaarheid van grafiet voor een efficiënte warmteverdeling over de wafer, waardoor het risico op temperatuurgradiënten wordt verminderd die tot defecten in de epitaxiale laag kunnen leiden.

Om de prestaties van de Wafer Susceptor te verbeteren, is op vakkundige wijze een siliciumcarbide (SiC) coating op de grafietbasis aangebracht. SiC is een zeer duurzaam materiaal met superieure chemische bestendigheid, waardoor het ideaal is voor gebruik in halfgeleideromgevingen waar vaak reactieve gassen aanwezig zijn. De SiC-coating vormt een beschermende barrière die het grafiet beschermt tegen mogelijke chemische reacties, waardoor de levensduur van de wafer-susceptor wordt gegarandeerd en een schone omgeving in de reactor wordt gehandhaafd.

Semicorex Wafer Susceptor gemaakt van SiC-gecoat grafiet is een onmisbaar onderdeel in halfgeleider-epitaxieprocessen. De combinatie van de thermische en mechanische eigenschappen van grafiet met de chemische en thermische stabiliteit van siliciumcarbide maakt het bij uitstek geschikt voor de strenge eisen van de moderne halfgeleiderproductie. Het ontwerp met één wafer biedt nauwkeurige controle over het epitaxieproces en draagt ​​bij aan de productie van hoogwaardige halfgeleiderapparaten. Deze susceptor zorgt ervoor dat wafers met de grootste zorg en precisie worden gehanteerd, wat resulteert in superieure epitaxiale lagen en beter presterende halfgeleiderproducten.