SiC-diffusieovenbuis

Hoge buigsterkte: Semicorex SiC-diffusieovenbuis beschikt over een buigsterkte van meer dan 200 MPa, waardoor uitzonderlijke mechanische prestaties en structurele integriteit worden gegarandeerd onder hoge spanningsomstandigheden die typisch zijn voor productieprocessen van halfgeleiders.

Uitstekende oxidatieweerstand: deze SiC-diffusieovenbuizen vertonen een superieure oxidatieweerstand, de beste van alle niet-oxide-keramiek. Deze eigenschap zorgt voor stabiliteit en prestaties op de lange termijn in omgevingen met hoge temperaturen, waardoor het risico op degradatie wordt verminderd en de operationele levensduur van de buizen wordt verlengd.

Uitstekende weerstand tegen corrosie: De chemische inertie van de SiC-diffusieovenbuis biedt uitstekende weerstand tegen corrosie, waardoor deze buizen ideaal zijn voor gebruik in agressieve chemische omgevingen die vaak voorkomen bij de verwerking van halfgeleiders.

Hoge slijtvastheid: de SiC-diffusieovenbuis is zeer goed bestand tegen slijtage, wat cruciaal is voor het behouden van de maatstabiliteit en het verminderen van de onderhoudsvereisten bij langdurig gebruik in schurende omstandigheden.

Lage wrijvingscoëfficiënt: De lage wrijvingscoëfficiënt van de SiC-diffusieovenbuis vermindert slijtage aan zowel de buizen als de wafers, waardoor een soepele werking wordt gegarandeerd en besmettingsrisico's tijdens de verwerking van halfgeleiders worden geminimaliseerd.

Superieure mechanische eigenschappen bij hoge temperaturen: de SiC-diffusieovenbuis vertoont de beste mechanische eigenschappen bij hoge temperaturen van de bekende keramische materialen, waaronder uitstekende sterkte en kruipweerstand. Dit maakt het bijzonder geschikt voor toepassingen die langdurige stabiliteit bij hoge temperaturen vereisen.

Met CVD-coating: Semicorex Chemical Vapour Deposition (CVD) SiC-coating bereikt een zuiverheidsniveau van meer dan 99,9995%, met een onzuiverheidsgehalte van minder dan 5 ppm en schadelijke metaalverontreinigingen van minder dan 1 ppm. Het CVD-coatingproces zorgt ervoor dat de buizen voldoen aan de strenge eisen voor vacuümdichtheid van 2-3Torr, essentieel voor uiterst nauwkeurige productieomgevingen voor halfgeleiders.

Toepassing in diffusieovens: Deze SiC-diffusieovenbuizen zijn speciaal ontworpen voor gebruik in diffusieovens, waar ze een cruciale rol spelen bij hogetemperatuurprocessen zoals doping en oxidatie. Hun geavanceerde materiaaleigenschappen zorgen ervoor dat ze bestand zijn tegen de veeleisende omstandigheden van deze processen, waardoor de efficiëntie en betrouwbaarheid van de halfgeleiderproductie worden verbeterd.