SiC-waferdrager

Semicorex SiC Wafer Carrier is een gespecialiseerd armatuur met hoge zuiverheid, ontworpen om meerdere halfgeleiderwafels te ondersteunen en te transporteren door extreme thermische en chemische verwerkingsomgevingen. Semicorex levert deze volgende generatie waferboten met behulp van geavanceerde 3D-printtechnologie, waardoor een ongeëvenaarde geometrische precisie en materiaalzuiverheid wordt gegarandeerd voor de meest veeleisende workflows voor de productie van wafers.

Precisie opnieuw definiëren: 3D-geprintZeer zuiver SiC

Traditionele productiemethoden voor waferdragers, zoals machinale bewerking of assemblage uit meerdere onderdelen, worden vaak geconfronteerd met beperkingen op het gebied van geometrische complexiteit en verbindingsintegriteit. Door gebruik te maken van additive manufacturing (3D-printen) produceert Semicorex SiC Wafer Carriers die aanzienlijke technische voordelen bieden:

Monolithische structurele integriteit: 3D-printen maakt het mogelijk een naadloze structuur uit één stuk te creëren. Dit elimineert de zwakke punten die gepaard gaan met traditioneel lijmen of lassen, waardoor het risico op structureel falen of het afstoten van deeltjes tijdens cycli met hoge temperaturen aanzienlijk wordt verminderd.

Complexe interne geometrieën: Geavanceerd 3D-printen maakt geoptimaliseerde sleufontwerpen en gasstroomkanalen mogelijk die onmogelijk te bereiken zijn via traditionele CNC-bewerking. Dit verbetert de uniformiteit van het procesgas over het waferoppervlak, waardoor de batchconsistentie direct wordt verbeterd.

Materiaalefficiëntie en hoge zuiverheid: Ons proces maakt gebruik van zeer zuiver SiC-poeder, wat resulteert in een drager met minimale sporen van metaalverontreinigingen. Dit is van cruciaal belang voor het voorkomen van kruisbesmetting bij gevoelige diffusie-, oxidatie- en LPCVD-processen (Low Pressure Chemical Vapour Deposition).

Uitstekende prestaties in extreme omgevingen

Semicorex SiC Wafer Carriers zijn ontworpen om te gedijen waar kwarts en andere keramiek falen. De inherente eigenschappen vanzeer zuiver siliciumcarbidebieden een robuuste basis voor moderne halfgeleiderfabrieksactiviteiten:

1. Superieure thermische stabiliteit

Siliciumcarbidebehoudt uitzonderlijke mechanische sterkte bij temperaturen boven 1.350°C. De lage thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE) zorgt ervoor dat de dragersleuven perfect uitgelijnd blijven, zelfs tijdens snelle verwarmings- en afkoelingsfasen, waardoor het "lopen" of beknellen van de wafel wordt voorkomen, wat kan leiden tot kostbare breuk.

2. Universele chemische bestendigheid

Van agressief plasma-etsen tot zuurbaden op hoge temperatuur: onze SiC-dragers zijn vrijwel inert. Ze zijn bestand tegen erosie door gefluoreerde gassen en geconcentreerde zuren, waardoor de afmetingen van de wafersleuven gedurende honderden cycli constant blijven. Deze lange levensduur vertaalt zich in een aanzienlijk lagere Total Cost of Ownership (TCO) vergeleken met kwartsalternatieven.

3. Hoge thermische geleidbaarheid

De hoge thermische geleidbaarheid van SiC zorgt ervoor dat de warmte gelijkmatig door de drager wordt verdeeld en efficiënt naar de wafers wordt overgebracht. Dit minimaliseert de temperatuurgradiënten van rand tot midden, wat essentieel is voor het bereiken van uniforme filmdikte en doteringsprofielen bij batchverwerking.

Industriële toepassingen

Semicorex SiC Wafer Carriers zijn de gouden standaard voor hoogwaardige batchverwerking in:

Diffusie- en oxidatieovens: bieden stabiele ondersteuning voor doping bij hoge temperaturen.

LPCVD / PECVD: Zorgen voor uniforme filmafzetting over gehele batches wafers.

SiC-epitaxie: bestand tegen de extreme temperaturen die nodig zijn voor de groei van halfgeleiders met een grote bandafstand.

Geautomatiseerde afhandeling van cleanrooms: ontworpen met precisie-interfaces voor naadloze integratie met FAB-automatisering.