Thuis > Producten > Keramiek > Siliciumcarbide (SiC) > Siliciumcarbide bus
Siliciumcarbide bus
  • Siliciumcarbide busSiliciumcarbide bus
  • Siliciumcarbide busSiliciumcarbide bus
  • Siliciumcarbide busSiliciumcarbide bus
  • Siliciumcarbide busSiliciumcarbide bus
  • Siliciumcarbide busSiliciumcarbide bus

Siliciumcarbide bus

Semicorex ultrazuivere siliciumcarbide-bussen zijn perfect voor de volgende generatie lithografie- en wafelverwerkingstoepassingen en zorgen voor minimale vervuiling en bieden uitzonderlijk lange levensduur. Onze producten hebben een goed prijsvoordeel en bestrijken een groot deel van de Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

De ultraplatte siliciumcarbidebus van Semicorex is een zeer zuiver gesinterd siliciumcarbide met een hoge hitte- en corrosieweerstand en een grote stabiliteit in extreme omgevingen, waaronder hoge temperaturen en corrosieve werkomstandigheden.
Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve siliciumcarbidebussen, geven we prioriteit aan klanttevredenheid en bieden we kosteneffectieve oplossingen. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner te worden, die hoogwaardige producten en een uitzonderlijke klantenservice levert.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze siliciumcarbidebussen.


Parameters van siliciumcarbide-bussen

Technische eigenschappen

Index

Eenheid

Waarde

Materiaalnaam

Reactie Gesinterd siliciumcarbide

Drukloos gesinterd siliciumcarbide

Herkristalliseerd siliciumcarbide

Samenstelling

RBSiC

SSiC

R-SiC

Bulkdichtheid

g/cm3

3

3,15 ± 0,03

2,60-2,70

Buigsterkte

MPa (kpsi)

338(49)

380(55)

80-90 (20°C) 90-100(1400°C)

Druksterkte

MPa (kpsi)

1120(158)

3970(560)

> 600

Hardheid

Knoop

2700

2800

/

Doorbrekende vasthoudendheid

MPa m1/2

4.5

4

/

Thermische geleidbaarheid

W/m.k

95

120

23

Coëfficiënt van thermische uitzetting

10-6.1/°C

5

4

4.7

Specifieke warmte

Joule/g 0k

0.8

0.67

/

Maximale temperatuur in de lucht

1200

1500

1600

Elasticiteitsmodulus

Gpa

360

410

240


Het verschil tussen SSiC en RBSiC:

1. Het sinterproces is anders. RBSiC is bedoeld om bij lage temperatuur vrij Si in siliciumcarbide te infiltreren, SSiC wordt gevormd door natuurlijke krimp bij 2100 graden.

2. SSiC heeft een gladder oppervlak, een hogere dichtheid en een hogere sterkte. Voor sommige afdichtingen met strengere oppervlakte-eisen zal SSiC beter zijn.

3. Verschillende gebruikte tijd onder verschillende PH en temperatuur, SSiC is langer dan RBSiC


Kenmerken van siliciumcarbide-bus

Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.


Beschikbare vormen van siliciumcarbide-keramiek:

● Keramische staaf / keramische pin / keramische plunjer

● Keramische buis / keramische bus / keramische huls

● Keramische ring / keramische ring / keramische afstandsring

● Keramische schijf

● Keramische plaat / keramisch blok

● Keramische bal

● Keramische zuiger

● Keramisch mondstuk

● Keramische smeltkroes

● Andere op maat gemaakte keramische onderdelen




Hottags: Siliciumcarbide-bus, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept