Siliciumcarbide ICP-etsplaat

Siliciumcarbide ICP-etsplaatis bekwaam in het leveren van stabiele ondersteuning en nauwkeurige positionering van wafers tijdens de etsbewerkingen, waardoor op efficiënte wijze verminderingen in de etsprecisie als gevolg van trillingen of verplaatsing worden voorkomen.

Siliciumcarbide ICP-etsplaat heeft mogelijkheden voor thermisch beheer. Superieure thermische geleidbaarheid vanSIC-keramiekgeeft Siliciumcarbide ICP-etsplaat de mogelijkheid om snel warmte af te voeren, wat lokale oververhitting van het werkstuk helpt voorkomen en de uniformiteit van de etstemperatuur garandeert, waardoor de etskwaliteit wordt verbeterd. SiC-keramiek heeft een lage thermische uitzettingscoëfficiënt, waardoor de siliciumcarbide ICP-etsplaat een goede maatvastheid behoudt en de verplaatsing of vervorming van het werkstuk als gevolg van thermische uitzetting vermindert.

Dankzij de uitstekende hardheids- en sterkte-eigenschappen toont de siliciumcarbide ICP-etsplaat het vermogen om de mechanische spanning en plasma-impact die tijdens het etsproces optreedt te verdragen met minimale vervorming of schade. Dit vermogen verbetert effectief de opbrengst en productie-efficiëntie van halfgeleiderapparaten.

De ICP-bedrijfsomgeving vereist zuiverheid op halfgeleiderniveau. De siliciumcarbide ICP-etsplaat van Semicorex kan volledig aan deze eis voldoen en levert uitzonderlijke weerstand tegen de chemische gassen (zoals chloor en fluor) en plasma van ICP-etsomgevingen. Deze belangrijke eigenschap houdt de procesomgeving schoon door de hoeveelheid verontreinigingen die vrijkomen tijdens het etsen te verminderen.

Semicorex geeft prioriteit aan gebruikersgemak en biedt op maat gemaakte ontwerpen van siliciumcarbide ICP-etsplaten die naadloos integreren met bestaande ICP-etssystemen en compatibel zijn met verschillende configuraties. Dit zorgt voor een soepele overgang, waardoor het een ideale upgrade-oplossing is voor fabrikanten van apparatuur.