Thuis > Producten > Keramiek > Siliciumcarbide (SiC) > Siliciumwafeldrager
Siliciumwafeldrager
  • SiliciumwafeldragerSiliciumwafeldrager
  • SiliciumwafeldragerSiliciumwafeldrager

Siliciumwafeldrager

Semicorex levert keramiek van halfgeleiderkwaliteit voor uw OEM-semifabricagegereedschappen en componenten voor het hanteren van wafers, gericht op siliciumcarbidelagen in de halfgeleiderindustrie. Wij zijn al vele jaren fabrikant en leverancier van Silicon Wafer Carrier. Onze Silicon Wafer Carrier heeft een goed prijsvoordeel en bestrijkt de meeste Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Bij halfgeleiderdepositieprocessen wordt gebruik gemaakt van een combinatie van vluchtige precursorgassen, plasma en hoge temperaturen om dunne films van hoge kwaliteit op wafers aan te brengen. Depositiekamers en gereedschappen voor het hanteren van wafels hebben duurzame keramische componenten nodig om deze uitdagende omgevingen het hoofd te kunnen bieden.
Semicorex Silicon Wafer Carrier is zeer zuiver siliciumcarbide, dat hoge corrosie- en hittebestendigheidseigenschappen heeft, evenals een uitstekende thermische geleidbaarheid.


Parameters van siliciumwafeldrager

Technische eigenschappen

Index

Eenheid

Waarde

Materiaalnaam

Reactie Gesinterd siliciumcarbide

Drukloos gesinterd siliciumcarbide

Herkristalliseerd siliciumcarbide

Samenstelling

RBSiC

SSiC

R-SiC

Bulkdichtheid

g/cm3

3

3,15 ± 0,03

2,60-2,70

Buigsterkte

MPa (kpsi)

338(49)

380(55)

80-90 (20°C) 90-100(1400°C)

Druksterkte

MPa (kpsi)

1120(158)

3970(560)

> 600

Hardheid

Knoop

2700

2800

/

Doorbrekende vasthoudendheid

MPa m1/2

4.5

4

/

Thermische geleidbaarheid

W/m.k

95

120

23

Coëfficiënt van thermische uitzetting

10-6.1/°C

5

4

4.7

Specifieke warmte

Joule/g 0k

0.8

0.67

/

Maximale temperatuur in de lucht

1200

1500

1600

Elasticiteitsmodulus

Gpa

360

410

240


Het verschil tussen SSiC en RBSiC:

1. Het sinterproces is anders. RBSiC is bedoeld om bij lage temperatuur vrij Si in siliciumcarbide te infiltreren, SSiC wordt gevormd door natuurlijke krimp bij 2100 graden.

2. SSiC heeft een gladder oppervlak, een hogere dichtheid en een hogere sterkte. Voor sommige afdichtingen met strengere oppervlakte-eisen zal SSiC beter zijn.

3. Verschillende gebruikte tijd onder verschillende PH en temperatuur, SSiC is langer dan RBSiC


Kenmerken van Silicon Wafer Carrier

Zeer zuiver SiC-gecoat grafiet
Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
Fijne SiC-kristalcoating voor een glad oppervlak
Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Het materiaal is zo ontworpen dat scheuren en delaminatie niet optreden.


Beschikbare vormen van siliciumcarbide-keramiek:

● Keramische staaf / keramische pin / keramische plunjer

● Keramische buis / keramische bus / keramische huls

● Keramische ring / keramische ring / keramische afstandsring

● Keramische schijf

● Keramische plaat / keramisch blok

● Keramische bal

● Keramische zuiger

● Keramisch mondstuk

● Keramische smeltkroes

● Andere op maat gemaakte keramische onderdelen




Hottags: Silicon Wafer Carrier, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept