Semicorex is een gerenommeerde fabrikant en leverancier van hoogwaardige MOCVD Cover Star Disc Plate voor Wafer Epitaxy. Ons product is speciaal ontworpen om tegemoet te komen aan de behoeften van de halfgeleiderindustrie, met name bij het laten groeien van de epitaxiale laag op de waferchip. Onze susceptor wordt gebruikt als middenplaat in MOCVD, met een tandwiel- of ringvormig ontwerp. Het product is zeer goed bestand tegen hoge temperaturen en corrosie, waardoor het ideaal is voor gebruik in extreme omgevingen.
Onze MOCVD Cover Star Disc Plate voor Wafer Epitaxy is een uitstekend product dat zorgt voor een coating op alle oppervlakken, waardoor afbladderen wordt voorkomen. Het heeft een oxidatieweerstand bij hoge temperaturen die stabiliteit garandeert, zelfs bij hoge temperaturen tot 1600°C. Het product wordt met hoge zuiverheid gemaakt door middel van CVD-chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden bij hoge temperaturen. Het heeft een dicht oppervlak met fijne deeltjes, waardoor het zeer goed bestand is tegen corrosie door zuren, alkaliën, zouten en organische reagentia.
Onze MOCVD Cover Star Disc Plate voor Wafer Epitaxy garandeert het beste laminaire gasstroompatroon, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Het voorkomt vervuiling of verspreiding van onzuiverheden en zorgt voor hoogwaardige epitaxiale groei op de waferchip. Ons product is scherp geprijsd, waardoor het voor veel klanten toegankelijk is. We bestrijken een groot deel van de Europese en Amerikaanse markten en ons team streeft ernaar uitstekende klantenservice en ondersteuning te bieden. Wij streven ernaar om uw langetermijnpartner te worden in het leveren van hoogwaardige en betrouwbare MOCVD Cover Star Disc Plate voor Wafer Epitaxy.
Parameters van MOCVD Cover Star Disc Plate voor Wafer Epitaxy
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating |
||
SiC-CVD-eigenschappen |
||
Kristalstructuur |
FCC β-fase |
|
Dikte |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Chemische zuiverheid |
% |
99.99995 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Thermische uitzetting (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Kenmerken van MOCVD Cover Star Disc Plate voor Wafer Epitaxy
- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden