Thuis > Producten > Siliciumcarbide gecoat > MOCVD-acceptor > SiC Susceptor voor MOCVD
SiC Susceptor voor MOCVD

SiC Susceptor voor MOCVD

Semicorex is een toonaangevende fabrikant en leverancier van SiC Susceptor voor MOCVD. Ons product is speciaal ontworpen om tegemoet te komen aan de behoeften van de halfgeleiderindustrie bij het laten groeien van de epitaxiale laag op de waferchip. Het product wordt gebruikt als middenplaat in MOCVD, met een tandwiel- of ringvormig ontwerp. Het heeft een hoge hitte- en corrosiebestendigheid, waardoor het ideaal is voor gebruik in extreme omgevingen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze SiC Susceptor voor MOCVD is een product van topkwaliteit met verschillende belangrijke kenmerken. Het zorgt voor een coating op alle oppervlakken, waardoor afbladderen wordt voorkomen, en is bestand tegen oxidatie bij hoge temperaturen, waardoor stabiliteit wordt gegarandeerd, zelfs bij hoge temperaturen tot 1600°C. Het product wordt met hoge zuiverheid gemaakt door middel van CVD-chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden bij hoge temperaturen. Het heeft een dicht oppervlak met fijne deeltjes, waardoor het zeer goed bestand is tegen corrosie door zuren, alkaliën, zouten en organische reagentia.
Onze SiC Susceptor voor MOCVD is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te garanderen, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Het voorkomt verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden en zorgt voor hoogwaardige epitaxiale groei op de waferchip.


Parameters van SiC Susceptor voor MOCVD

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen

Kristalstructuur

FCC β-fase

Dikte

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers-hardheid

2500

Korrelgrootte

urn

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmtecapaciteit

J kg-1 K-1

640

Sublimatie temperatuur

2700

Flexurale kracht

MPa (RT 4-punts)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt bocht, 1300℃)

430

Thermische uitzetting (CTE)

10-6K-1

4.5

Thermische geleidbaarheid

(W/mK)

300


Kenmerken van SiC Susceptor voor MOCVD

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden




Hottags: SiC-susceptor voor MOCVD, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept