SiC-gecoate MOCVD-susceptor

Semicorex is een toonaangevende fabrikant en leverancier van SiC gecoate MOCVD susceptor. Ons product is speciaal ontworpen voor de halfgeleiderindustrie om de epitaxiale laag op de waferchip te laten groeien. De zeer zuivere, met siliciumcarbide gecoate grafietdrager wordt gebruikt als middenplaat in MOCVD, met een tandwiel- of ringvormig ontwerp. Onze susceptor wordt veel gebruikt in MOCVD-apparatuur en zorgt voor een hoge hitte- en corrosieweerstand en grote stabiliteit in extreme omgevingen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Een van de belangrijkste kenmerken van onze SiC-gecoate MOCVD-susceptor is dat deze zorgt voor een coating op alle oppervlakken, waardoor loslaten wordt voorkomen. Het product heeft een hoge temperatuuroxidatieweerstand, die stabiel is bij hoge temperaturen tot 1600°C. De hoge zuiverheid wordt bereikt door gebruik te maken van CVD chemische dampdepositie onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur. Het product heeft een dicht oppervlak met fijne deeltjes, waardoor het zeer goed bestand is tegen corrosie door zuren, alkaliën, zout en organische reagentia.
Onze SiC-gecoate MOCVD-susceptor zorgt voor het beste laminaire gasstroompatroon, dat een gelijkmatig thermisch profiel garandeert. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd. Semicorex biedt een concurrerend prijsvoordeel en bestrijkt veel van de Europese en Amerikaanse markten. Ons team is toegewijd aan het bieden van uitstekende klantenservice en ondersteuning. We streven ernaar om uw langetermijnpartner te worden en hoogwaardige en betrouwbare producten te leveren om uw bedrijf te helpen groeien.

Parameters van SiC-gecoate MOCVD-susceptor

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van SiC-gecoate MOCVD-susceptor

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden