SiC gecoat MOCVD grafiet satellietplatform

Semicorex is een gerenommeerde leverancier en fabrikant van SiC Coated MOCVD Graphite Satellite Platform. Ons product is speciaal ontworpen om tegemoet te komen aan de behoeften van de halfgeleiderindustrie bij het laten groeien van de epitaxiale laag op de waferchip. Het product wordt gebruikt als middenplaat in MOCVD, met een tandwiel- of ringvormig ontwerp. Het heeft een hoge hitte- en corrosiebestendigheid, waardoor het ideaal is voor gebruik in extreme omgevingen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Een van de belangrijkste kenmerken van ons SiC-gecoate MOCVD-grafietsatellietplatform is het vermogen om coating op alle oppervlakken te garanderen, zonder afbladderen. Het heeft een oxidatieweerstand bij hoge temperaturen, waardoor stabiliteit wordt gegarandeerd, zelfs bij hoge temperaturen tot 1600 °C. Het product wordt met hoge zuiverheid gemaakt door middel van CVD-chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden bij hoge temperaturen. Het heeft een dicht oppervlak met fijne deeltjes, waardoor het zeer goed bestand is tegen corrosie door zuren, alkaliën, zouten en organische reagentia.
Ons SiC-gecoate MOCVD-grafietsatellietplatform is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te garanderen, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Het voorkomt vervuiling of verspreiding van onzuiverheden en zorgt voor hoogwaardige epitaxiale groei op de waferchip. Wij bieden concurrerende prijzen voor ons product, waardoor het voor veel klanten toegankelijk is. Ons team is toegewijd aan het bieden van uitstekende klantenservice en ondersteuning. We bestrijken veel van de Europese en Amerikaanse markten en we streven ernaar om uw langetermijnpartner te worden bij het leveren van hoogwaardig en betrouwbaar SiC-gecoat MOCVD-grafietsatellietplatform. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over ons product.

Parameters van SiC gecoat MOCVD grafiet satellietplatform

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van het met SiC gecoate MOCVD-grafietsatellietplatform

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden