MOCVD Susceptor voor epitaxiale groei

Semicorex is een toonaangevende leverancier en fabrikant van MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth. Ons product wordt veel gebruikt in de halfgeleiderindustrie, vooral bij de groei van de epitaxiale laag op de waferchip. Onze susceptor is ontworpen om te worden gebruikt als middenplaat in MOCVD, met een tandwiel- of ringvormig ontwerp. Het product heeft een hoge hitte- en corrosiebestendigheid, waardoor het stabiel is in extreme omgevingen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Een van de voordelen van onze MOCVD-susceptor voor epitaxiale groei is het vermogen om coating op alle oppervlakken te garanderen, waardoor afbladderen wordt voorkomen. Het product heeft een hoge temperatuuroxidatieweerstand, wat stabiliteit garandeert bij hoge temperaturen tot 1600°C. De hoge zuiverheid van ons product wordt bereikt door chemische CVD-dampafzetting onder chloreringsomstandigheden bij hoge temperaturen. Het dichte oppervlak met fijne deeltjes zorgt ervoor dat het product zeer goed bestand is tegen corrosie door zuren, alkaliën, zouten en organische reagentia.
Onze MOCVD-susceptor voor epitaxiale groei is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze MOCVD Susceptor voor epitaxiale groei.

Parameters van MOCVD Susceptor voor epitaxiale groei

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van MOCVD Susceptor voor epitaxiale groei

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden