Thuis > Producten > Siliciumcarbide gecoat > MOCVD-acceptor > SiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVD
SiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVD
  • SiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVDSiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVD
  • SiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVDSiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVD

SiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVD

Semicorex is een grootschalige fabrikant en leverancier van siliciumcarbide gecoate grafiet susceptor in China. We richten ons op halfgeleiderindustrieën zoals siliciumcarbidelagen en epitaxie-halfgeleiders. Onze SiC-gecoate grafietsusceptor voor MOCVD heeft een goed prijsvoordeel en bestrijkt veel van de Europese en Amerikaanse markten. Wij kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex SiC gecoate grafietsusceptor voor MOCVD is een zeer zuivere, met siliciumcarbide gecoate grafietdrager, die daarbij wordt gebruikt om de epixiale laag op de waferchip te laten groeien. Het is de middenplaat in MOCVD, de vorm van een tandwiel of ring. SiC-gecoate grafietsusceptor voor MOCVD heeft een hoge hitte- en corrosieweerstand, die een grote stabiliteit biedt in extreme omgevingen.
Bij Semicorex streven we ernaar hoogwaardige producten en diensten aan onze klanten te leveren. We gebruiken alleen de beste materialen en onze producten zijn ontworpen om aan de hoogste normen van kwaliteit en prestaties te voldoen. Onze SiC-gecoate grafietsusceptor voor MOCVD is geen uitzondering. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over hoe wij u kunnen helpen met uw halfgeleiderwafelverwerkingsbehoeften.


Parameters van SiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVD

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen

Kristalstructuur

FCC β-fase

Dikte

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers-hardheid

2500

Korrelgrootte

urn

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmtecapaciteit

J kg-1 K-1

640

Sublimatie temperatuur

2700

Flexurale kracht

MPa (RT 4-punts)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt bocht, 1300℃)

430

Thermische uitzetting (CTE)

10-6K-1

4.5

Thermische geleidbaarheid

(W/mK)

300


Kenmerken van SiC-gecoate grafietsusceptor voor MOCVD

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden




Hottags: SiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVD, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept