> Producten > Siliciumcarbide gecoat > MOCVD-acceptor > Siliciumcarbide coating grafiet susceptor voor MOCVD

Producten

Nieuwe Producten

Siliciumcarbide coating grafiet susceptor voor MOCVD

Semicorex is een vertrouwde leverancier en fabrikant van grafiet susceptor met siliciumcarbide coating voor MOCVD. Ons product is speciaal ontworpen om tegemoet te komen aan de behoeften van de halfgeleiderindustrie bij het laten groeien van de epitaxiale laag op de waferchip. Het product wordt gebruikt als middenplaat in MOCVD, met een tandwiel- of ringvormig ontwerp. Het heeft een hoge hitte- en corrosiebestendigheid, waardoor het ideaal is voor gebruik in extreme omgevingen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze grafiet susceptor met siliciumcarbide coating voor MOCVD heeft verschillende belangrijke kenmerken waardoor hij zich onderscheidt van de concurrentie. Het zorgt voor een coating op alle oppervlakken, waardoor afbladderen wordt voorkomen, en is bestand tegen oxidatie bij hoge temperaturen, waardoor stabiliteit wordt gegarandeerd, zelfs bij hoge temperaturen tot 1600°C. Het product wordt met hoge zuiverheid gemaakt door middel van CVD-chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden bij hoge temperaturen. Het heeft een dicht oppervlak met fijne deeltjes, waardoor het zeer goed bestand is tegen corrosie door zuren, alkaliën, zouten en organische reagentia.
Onze grafiet susceptor met siliciumcarbide coating voor MOCVD is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Het voorkomt verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden en zorgt voor hoogwaardige epitaxiale groei op de waferchip.

Parameters van siliciumcarbide coating grafiet susceptor voor MOCVD

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van siliciumcarbide coating grafiet susceptor voor MOCVD

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden