Thuis > Producten > Siliciumcarbide gecoat > MOCVD-acceptor > MOCVD satelliethouderplaat
MOCVD satelliethouderplaat

MOCVD satelliethouderplaat

Semicorex MOCVD satelliethouderplaat is een uitstekende drager ontworpen voor gebruik in de halfgeleiderindustrie. De hoge zuiverheid, uitstekende corrosieweerstand en het zelfs thermische profiel maken het een uitstekende keuze voor wie op zoek is naar een drager die bestand is tegen de eisen van het halfgeleiderproductieproces. Wij streven ernaar onze klanten hoogwaardige producten te bieden die aan hun specifieke eisen voldoen. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze MOCVD-satelliethouderplaat en hoe wij u kunnen helpen met uw halfgeleiderproductiebehoeften.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex MOCVD Satellite Holder Plate is een hoogwaardige drager ontworpen voor gebruik in de halfgeleiderindustrie. Ons product is gecoat met een zeer zuiver siliciumcarbide op grafiet, waardoor het zeer goed bestand is tegen oxidatie bij hoge temperaturen tot 1600°C. Het CVD chemische dampafzettingsproces dat bij de productie wordt gebruikt, zorgt voor een hoge zuiverheid en uitstekende corrosieweerstand, waardoor het ideaal is voor gebruik in cleanroomomgevingen.
De kenmerken van onze MOCVD-satelliethouderplaat zijn indrukwekkend. Het dichte oppervlak en de fijne deeltjes verbeteren de corrosieweerstand, waardoor het bestand is tegen zuur, alkali, zout en organische reagentia. Deze drager is zeer stabiel, zelfs in extreme omgevingen, waardoor het een uitstekende keuze is voor wie op zoek is naar een drager die bestand is tegen de eisen van de halfgeleiderindustrie.


Parameters van MOCVD satelliethouderplaat

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen

Kristalstructuur

FCC β-fase

Dikte

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers-hardheid

2500

Korrelgrootte

urn

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmtecapaciteit

J kg-1 K-1

640

Sublimatie temperatuur

2700

Flexurale kracht

MPa (RT 4-punts)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt bocht, 1300℃)

430

Thermische uitzetting (CTE)

10-6K-1

4.5

Thermische geleidbaarheid

(W/mK)

300


Kenmerken van SiC-gecoate grafietsusceptor voor MOCVD

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden




Hottags: MOCVD satelliethouderplaat, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept