Semicorex SiC-gecoate grafietbasissusceptors voor MOCVD zijn dragers van superieure kwaliteit die worden gebruikt in de halfgeleiderindustrie. Ons product is ontworpen met hoogwaardig siliciumcarbide dat uitstekende prestaties en langdurige duurzaamheid biedt. Deze drager is ideaal voor gebruik bij het groeien van een epitaxiale laag op de waferchip.
Onze SiC-gecoate grafietbasissusceptors voor MOCVD hebben een hoge hitte- en corrosieweerstand die een grote stabiliteit garandeert, zelfs in extreme omgevingen.
De kenmerken van deze SiC-gecoate grafietbasissusceptors voor MOCVD zijn uitstekend. Het is gemaakt met een zeer zuivere siliciumcarbidecoating op grafiet, waardoor het zeer goed bestand is tegen oxidatie bij hoge temperaturen tot 1600 °C. Het CVD chemische dampafzettingsproces dat bij de productie wordt gebruikt, zorgt voor een hoge zuiverheid en uitstekende corrosieweerstand. Het oppervlak van de drager is dicht, met fijne deeltjes die de corrosieweerstand verbeteren, waardoor deze bestand is tegen zuur, alkali, zout en organische reagentia.
Onze SiC-gecoate grafietbasissusceptors voor MOCVD zorgen voor een gelijkmatig thermisch profiel en garanderen het beste laminaire gasstroompatroon. Het voorkomt dat verontreinigingen of onzuiverheden in de wafer terechtkomen, waardoor het ideaal is voor gebruik in cleanroomomgevingen. Semicorex is een grootschalige fabrikant en leverancier van SiC Coated Graphite Susceptor in China, en onze producten hebben een goed prijsvoordeel. Wij kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in de halfgeleiderindustrie te worden.
Parameters van SiC-gecoate grafietbasissusceptors voor MOCVD
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating |
||
SiC-CVD-eigenschappen |
||
Kristalstructuur |
FCC β-fase |
|
Dikte |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Chemische zuiverheid |
% |
99.99995 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Thermische uitzetting (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Kenmerken van SiC-gecoate grafietsusceptor voor MOCVD
- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden