Semicorex 6'' Wafer Carrier voor Aixtron G5 biedt een groot aantal voordelen voor gebruik in Aixtron G5-apparatuur, met name bij halfgeleiderproductieprocessen met hoge temperatuur en hoge precisie.**
Lees verderStuur onderzoekSemicorex Epitaxy Wafer Carrier biedt een zeer betrouwbare oplossing voor Epitaxy-toepassingen. De geavanceerde materialen en coatingtechnologie zorgen ervoor dat deze dragers uitstekende prestaties leveren, waardoor de operationele kosten en downtime als gevolg van onderhoud of vervanging worden verminderd.**
Lees verderStuur onderzoekSemicorex introduceert zijn SiC Disc Susceptor, ontworpen om de prestaties van Epitaxy-, Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) en Rapid Thermal Processing (RTP)-apparatuur te verbeteren. De zorgvuldig ontworpen SiC Disc Susceptor biedt eigenschappen die superieure prestaties, duurzaamheid en efficiëntie garanderen in omgevingen met hoge temperaturen en vacuüm.**
Lees verderStuur onderzoekSemicorex SiC ALD Susceptor biedt talrijke voordelen in ALD-processen, waaronder stabiliteit bij hoge temperaturen, verbeterde filmuniformiteit en -kwaliteit, verbeterde procesefficiëntie en langere levensduur van de susceptor. Deze voordelen maken de SiC ALD Susceptor tot een waardevol hulpmiddel voor het realiseren van hoogwaardige dunne films in diverse veeleisende toepassingen.**
Lees verderStuur onderzoekSemicorex ALD Planetary Susceptor is belangrijk in ALD-apparatuur vanwege hun vermogen om zware verwerkingsomstandigheden te weerstaan, waardoor hoogwaardige filmafzetting voor een verscheidenheid aan toepassingen wordt gegarandeerd. Naarmate de vraag naar geavanceerde halfgeleiderapparaten met kleinere afmetingen en verbeterde prestaties blijft groeien, wordt verwacht dat het gebruik van de ALD Planetary Susceptor in ALD verder zal toenemen.**
Lees verderStuur onderzoekSemicorex MOCVD Epitaxy Susceptor is een cruciaal onderdeel geworden van de Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD)-epitaxie, waardoor de fabricage van hoogwaardige halfgeleiderapparaten met uitzonderlijke efficiëntie en precisie mogelijk is. De unieke combinatie van materiaaleigenschappen maakt het perfect geschikt voor de veeleisende thermische en chemische omgevingen die voorkomen tijdens de epitaxiale groei van samengestelde halfgeleiders.**
Lees verderStuur onderzoek