SiC MOCVD binnensegment

Semicorex SiC MOCVD binnensegment is ontworpen voor prestaties en betrouwbaarheid en biedt een cruciaal onderdeel voor het veeleisende proces van SiC-epitaxie. Door gebruik te maken van zeer zuivere materialen en geavanceerde productietechnieken, maakt het SiC MOCVD Inner Segment de groei mogelijk van hoogwaardige SiC-epilagen die essentieel zijn voor de volgende generatie vermogenselektronica en andere geavanceerde halfgeleidertoepassingen:

Materiële voordelen:

Het SiC MOCVD binnensegment is geconstrueerd met behulp van een robuuste en hoogwaardige materiaalcombinatie:

Grafietsubstraat met ultrahoge zuiverheid (asgehalte < 5 ppm):Het grafietsubstraat vormt een sterke basis voor het afdeksegment. Het uitzonderlijk lage asgehalte minimaliseert het besmettingsrisico en garandeert de zuiverheid van de SiC-epilagen tijdens het groeiproces.

Hoogzuivere CVD SiC-coating (zuiverheid ≥ 99,99995%):Er wordt gebruik gemaakt van een chemisch dampafzettingsproces (CVD) om een ​​uniforme, zeer zuivere SiC-coating op het grafietsubstraat aan te brengen. Deze SiC-laag biedt superieure weerstand tegen de reactieve voorlopers die worden gebruikt bij SiC-epitaxie, waardoor ongewenste reacties worden voorkomen en stabiliteit op lange termijn wordt gegarandeerd.

Sommige Overige CVD SiC MOCVD-onderdelen Semicorex-benodigdheden  

Prestatievoordelen in MOCVD-omgevingen:

Uitzonderlijke stabiliteit bij hoge temperaturen:De combinatie van hoogzuiver grafiet en CVD SiC zorgt voor uitstekende stabiliteit bij de verhoogde temperaturen die nodig zijn voor SiC-epitaxie (typisch boven 1500°C). Dit zorgt voor consistente prestaties en voorkomt kromtrekken of vervorming bij langdurig gebruik.

Weerstand tegen agressieve precursoren:Het SiC MOCVD-binnensegment vertoont een uitstekende chemische weerstand tegen de agressieve precursoren, zoals silaan (SiH4) en trimethylaluminium (TMAl), die gewoonlijk worden gebruikt in SiC MOCVD-processen. Dit voorkomt corrosie en waarborgt de integriteit van het dekselsegment op lange termijn.

Lage deeltjesgeneratie:Het gladde, niet-poreuze oppervlak van het SiC MOCVD-binnensegment minimaliseert de vorming van deeltjes tijdens het MOCVD-proces. Dit is cruciaal voor het handhaven van een schone procesomgeving en het bereiken van hoogwaardige SiC-epilagen die vrij zijn van defecten.

Verbeterde wafeluniformiteit:De uniforme thermische eigenschappen van het SiC MOCVD-binnensegment, gecombineerd met zijn weerstand tegen vervorming, dragen bij aan een verbeterde temperatuuruniformiteit over de wafer tijdens epitaxie. Dit leidt tot een meer homogene groei en verbeterde uniformiteit van de SiC-epilagen.

Verlengde levensduur:De robuuste materiaaleigenschappen en superieure weerstand tegen zware procesomstandigheden vertalen zich in een langere levensduur voor Semicorex SiC MOCVD binnensegment. Dit vermindert de frequentie van vervangingen, minimaliseert de uitvaltijd en verlaagt de totale bedrijfskosten.