SiC-coating is een dunne laag op de susceptor via het chemische dampafzettingsproces (CVD). Siliciumcarbidemateriaal biedt een aantal voordelen ten opzichte van silicium, waaronder 10x de elektrische doorslagsterkte en 3x de bandafstand, waardoor het materiaal bestand is tegen hoge temperaturen en chemicaliën, uitstekende slijtvastheid en thermische geleidbaarheid.
Semicorex levert service op maat, helpt u te innoveren met componenten die langer meegaan, verkort de cyclustijden en verbetert de opbrengsten.
SiC-coating heeft verschillende unieke voordelen
Weerstand tegen hoge temperaturen: CVD SiC-gecoate susceptor is bestand tegen hoge temperaturen tot 1600 °C zonder significante thermische degradatie te ondergaan.
Chemische bestendigheid: De siliciumcarbidecoating biedt uitstekende weerstand tegen een breed scala aan chemicaliën, waaronder zuren, alkaliën en organische oplosmiddelen.
Slijtvastheid: De SiC-coating geeft het materiaal een uitstekende slijtvastheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen met hoge slijtage.
Thermische geleidbaarheid: De CVD SiC-coating geeft het materiaal een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het geschikt is voor gebruik in toepassingen met hoge temperaturen die een efficiënte warmteoverdracht vereisen.
Hoge sterkte en stijfheid: de met siliciumcarbide gecoate susceptor geeft het materiaal een hoge sterkte en stijfheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen die een hoge mechanische sterkte vereisen.
SiC-coating wordt in verschillende toepassingen gebruikt
LED-productie: CVD SiC-gecoate susceptor wordt gebruikt bij de productie van verschillende LED-typen, waaronder blauwe en groene LED, UV-LED en diep-UV-LED, vanwege de hoge thermische geleidbaarheid en chemische weerstand.
Mobiele communicatie: CVD SiC gecoate susceptor is een cruciaal onderdeel van de HEMT om het GaN-op-SiC epitaxiale proces te voltooien.
Halfgeleiderverwerking: CVD SiC-gecoate susceptor wordt in de halfgeleiderindustrie gebruikt voor verschillende toepassingen, waaronder wafelverwerking en epitaxiale groei.
SiC-gecoate grafietcomponenten
Gemaakt van Silicon Carbide Coating (SiC) grafiet, de coating wordt via een CVD-methode aangebracht op specifieke soorten grafiet met hoge dichtheid, zodat deze kan werken in de hogetemperatuuroven met meer dan 3000 °C in een inerte atmosfeer, 2200 °C in vacuüm .
De bijzondere eigenschappen en de lage massa van het materiaal zorgen voor snelle opwarmsnelheden, een uniforme temperatuurverdeling en een uitstekende controleprecisie.
Materiaalgegevens van Semicorex SiC Coating
Typische eigenschappen |
Eenheden |
Waarden |
Structuur |
|
FCC β-fase |
Oriëntatie |
Fractie (%) |
111 voorkeur |
Bulkdichtheid |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Thermische uitzetting 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Conclusie CVD SiC gecoate susceptor is een composietmateriaal dat de eigenschappen van een susceptor en siliciumcarbide combineert. Dit materiaal bezit unieke eigenschappen, waaronder hoge temperatuur- en chemische bestendigheid, uitstekende slijtvastheid, hoge thermische geleidbaarheid en hoge sterkte en stijfheid. Deze eigenschappen maken het een aantrekkelijk materiaal voor diverse toepassingen bij hoge temperaturen, waaronder halfgeleiderverwerking, chemische verwerking, warmtebehandeling, productie van zonnecellen en LED-productie.
Als u op zoek bent naar een hoogwaardige grafietsusceptor gecoat met zeer zuiver SiC, dan is de Semicorex Barrel Susceptor met SiC-coating in halfgeleider de perfecte keuze. De uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en warmteverdelingseigenschappen maken het ideaal voor gebruik in halfgeleiderproductietoepassingen.
Lees verderStuur onderzoekMet zijn superieure dichtheid en thermische geleidbaarheid is de Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for Epitaxial Growth de ideale keuze voor gebruik in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve omstandigheden. Dit grafietproduct is gecoat met zeer zuiver SiC en biedt uitstekende bescherming en warmteverdeling, waardoor betrouwbare en consistente prestaties in halfgeleiderproductietoepassingen worden gegarandeerd.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor voor Wafer Epitaxial is de perfecte keuze voor toepassingen met monokristallijne groei, dankzij het uitzonderlijk vlakke oppervlak en de hoogwaardige SiC-coating. Het hoge smeltpunt, de oxidatieweerstand en de corrosieweerstand maken het een ideale keuze voor gebruik in omgevingen met hoge temperaturen en corrosie.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex SiC gecoate epitaxiale reactorvat is een grafietproduct van topkwaliteit gecoat met zeer zuiver SiC. De uitstekende dichtheid en thermische geleidbaarheid maken het een ideale keuze voor gebruik in LPE-processen, waardoor een uitzonderlijke warmteverdeling en bescherming wordt geboden in corrosieve omgevingen en omgevingen met hoge temperaturen.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex Carbide-Coated Reactor Barrel Susceptor is een grafietproduct van topkwaliteit, gecoat met zeer zuiver SiC, speciaal ontworpen voor LPE-processen. Met uitstekende hitte- en corrosieweerstand is dit product perfect voor gebruik in halfgeleiderproductietoepassingen.
Lees verderStuur onderzoekDe SiC-gecoate Susceptor Barrel voor epitaxiale reactorkamer van Semicorex is een zeer betrouwbare oplossing voor halfgeleiderproductieprocessen, met superieure warmteverdeling en thermische geleidbaarheidseigenschappen. Het is ook zeer goed bestand tegen corrosie, oxidatie en hoge temperaturen.
Lees verderStuur onderzoek