SiC-coating is een dunne laag op de susceptor via het chemische dampafzettingsproces (CVD). Siliciumcarbidemateriaal biedt een aantal voordelen ten opzichte van silicium, waaronder 10x de elektrische doorslagsterkte en 3x de bandafstand, waardoor het materiaal bestand is tegen hoge temperaturen en chemicaliën, uitstekende slijtvastheid en thermische geleidbaarheid.
Semicorex levert service op maat, helpt u te innoveren met componenten die langer meegaan, verkort de cyclustijden en verbetert de opbrengsten.
SiC-coating heeft verschillende unieke voordelen
Weerstand tegen hoge temperaturen: CVD SiC-gecoate susceptor is bestand tegen hoge temperaturen tot 1600 °C zonder significante thermische degradatie te ondergaan.
Chemische bestendigheid: De siliciumcarbidecoating biedt uitstekende weerstand tegen een breed scala aan chemicaliën, waaronder zuren, alkaliën en organische oplosmiddelen.
Slijtvastheid: De SiC-coating geeft het materiaal een uitstekende slijtvastheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen met hoge slijtage.
Thermische geleidbaarheid: De CVD SiC-coating geeft het materiaal een hoge thermische geleidbaarheid, waardoor het geschikt is voor gebruik in toepassingen met hoge temperaturen die een efficiënte warmteoverdracht vereisen.
Hoge sterkte en stijfheid: de met siliciumcarbide gecoate susceptor geeft het materiaal een hoge sterkte en stijfheid, waardoor het geschikt is voor toepassingen die een hoge mechanische sterkte vereisen.
SiC-coating wordt in verschillende toepassingen gebruikt
LED-productie: CVD SiC-gecoate susceptor wordt gebruikt bij de productie van verschillende LED-typen, waaronder blauwe en groene LED, UV-LED en diep-UV-LED, vanwege de hoge thermische geleidbaarheid en chemische weerstand.
Mobiele communicatie: CVD SiC gecoate susceptor is een cruciaal onderdeel van de HEMT om het GaN-op-SiC epitaxiale proces te voltooien.
Halfgeleiderverwerking: CVD SiC-gecoate susceptor wordt in de halfgeleiderindustrie gebruikt voor verschillende toepassingen, waaronder wafelverwerking en epitaxiale groei.
SiC-gecoate grafietcomponenten
Gemaakt van Silicon Carbide Coating (SiC) grafiet, de coating wordt via een CVD-methode aangebracht op specifieke soorten grafiet met hoge dichtheid, zodat deze kan werken in de hogetemperatuuroven met meer dan 3000 °C in een inerte atmosfeer, 2200 °C in vacuüm .
De bijzondere eigenschappen en de lage massa van het materiaal zorgen voor snelle opwarmsnelheden, een uniforme temperatuurverdeling en een uitstekende controleprecisie.
Materiaalgegevens van Semicorex SiC Coating
Typische eigenschappen |
Eenheden |
Waarden |
Structuur |
|
FCC β-fase |
Oriëntatie |
Fractie (%) |
111 voorkeur |
Bulkdichtheid |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Thermische uitzetting 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Conclusie CVD SiC gecoate susceptor is een composietmateriaal dat de eigenschappen van een susceptor en siliciumcarbide combineert. Dit materiaal bezit unieke eigenschappen, waaronder hoge temperatuur- en chemische bestendigheid, uitstekende slijtvastheid, hoge thermische geleidbaarheid en hoge sterkte en stijfheid. Deze eigenschappen maken het een aantrekkelijk materiaal voor diverse toepassingen bij hoge temperaturen, waaronder halfgeleiderverwerking, chemische verwerking, warmtebehandeling, productie van zonnecellen en LED-productie.
Met zijn hoge smeltpunt, oxidatieweerstand en corrosieweerstand is de Semicorex SiC-gecoate kristalgroeisusceptor de ideale keuze voor gebruik in toepassingen voor monokristalgroei. De siliciumcarbidecoating zorgt voor uitstekende vlakheid en warmteverdelingseigenschappen, waardoor het een ideale keuze is voor omgevingen met hoge temperaturen.
Lees verderStuur onderzoekAls u een grafiet susceptor nodig heeft die betrouwbaar en consistent kan presteren in zelfs de meest veeleisende omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve omstandigheden, dan is de Semicorex Barrel Susceptor voor Liquid Phase Epitaxy de perfecte keuze. De siliciumcarbidecoating zorgt voor een uitstekende thermische geleidbaarheid en warmteverdeling, waardoor uitzonderlijke prestaties bij de productie van halfgeleiders worden gegarandeerd.
Lees verderStuur onderzoekDe Semicorex Silicon Carbide-Coated Graphite Barrel is de perfecte keuze voor halfgeleiderproductietoepassingen die een hoge hitte- en corrosieweerstand vereisen. De uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en warmteverdelingseigenschappen maken het ideaal voor gebruik in LPE-processen en andere omgevingen met hoge temperaturen.
Lees verderStuur onderzoekMet zijn uitstekende dichtheid en thermische geleidbaarheid is de Semicorex duurzame SiC-gecoate vatsusceptor de ideale keuze voor gebruik in epitaxiale processen en andere halfgeleiderproductietoepassingen. De zeer zuivere SiC-coating biedt superieure bescherming en warmteverdelingseigenschappen, waardoor dit de beste keuze is voor betrouwbare en consistente resultaten.
Lees verderStuur onderzoekAls het gaat om de productie van halfgeleiders, is de Semicorex High-Temperature SiC-Coated Barrel Susceptor de beste keuze voor superieure prestaties en betrouwbaarheid. De hoogwaardige SiC-coating en uitzonderlijke thermische geleidbaarheid maken hem ideaal voor gebruik in zelfs de meest veeleisende omgevingen met hoge temperaturen en corrosie.
Lees verderStuur onderzoekMet zijn hoge smeltpunt, oxidatieweerstand en corrosieweerstand is de Semicorex SiC-gecoate vatsusceptor de perfecte keuze voor gebruik in monokristallijne groeitoepassingen. De siliciumcarbidecoating zorgt voor uitzonderlijke vlakheid en warmteverdelingseigenschappen, waardoor betrouwbare en consistente prestaties worden gegarandeerd, zelfs in de meest veeleisende omgevingen met hoge temperaturen.
Lees verderStuur onderzoek