Silicium-epitaxie-susceptors

U kunt er zeker van zijn dat u Silicon Epitaxy Susceptors in onze fabriek koopt. De Silicon Epitaxy Susceptor van Semicorex is een hoogwaardig, zeer zuiver product dat in de halfgeleiderindustrie wordt gebruikt voor epitaxiale groei van de waferchip. Ons product beschikt over een superieure coatingtechnologie die ervoor zorgt dat de coating op alle oppervlakken aanwezig is, waardoor afbladderen wordt voorkomen. Het product is stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C, waardoor het geschikt is voor gebruik in extreme omgevingen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze silicium-epitaxy-susceptors worden gemaakt door middel van CVD-chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden bij hoge temperaturen, waardoor een hoge zuiverheid wordt gegarandeerd. Het oppervlak van het product is dicht, met fijne deeltjes en hoge hardheid, waardoor het corrosiebestendig is tegen zuur, alkali, zout en organische reagentia.
Ons product is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor de gelijkmatigheid van het thermische profiel wordt gegarandeerd. Onze siliconen epitaxiale susceptors voorkomen verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden tijdens het epitaxiale groeiproces, waardoor resultaten van hoge kwaliteit worden gegarandeerd.
Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Onze silicium epitaxie susceptoren hebben een prijsvoordeel en worden naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.

Parameters van siliciumepitaxie-susceptors

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Parameters van siliciumepitaxie-susceptors

- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden